[实用新型]碳化硅晶体生长装置

权利要求书

1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：

坩埚本体，所述坩埚本体具有顶部敞开的容纳腔，所述容纳腔的底部放置有碳化硅原料；

坩埚盖，所述坩埚盖设于所述坩埚本体的敞开口处，所述坩埚盖的内侧粘贴有籽晶；

导流件，所述导流件设于所述容纳腔内，所述导流件包括支撑杆和导流叶片，所述支撑杆竖向设置，所述导流叶片环绕所述支撑杆设置，且所述导流叶片沿支撑杆的轴向方向螺旋延伸，所述导流叶片的径向内壁与所述支撑杆的径向外壁连接，所述导流叶片和所述支撑杆限定出螺旋气流通道；

石墨过滤板，所述石墨过滤板设于所述螺旋气流通道内，且所述石墨过滤板连接在所述螺旋气流通道的相邻两层之间，且所述石墨过滤板的径向内侧与所述支撑杆的径向外侧连接，所述石墨过滤板设有多个过滤孔，每个所述过滤孔在所述石墨过滤板的厚度方向上贯穿所述石墨过滤板，所述石墨过滤板为多个，多个所述石墨过滤板沿所述螺旋气流通道的轴向方向分层排布。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，在所述支撑杆的轴向上，相邻两层所述石墨过滤板分别位于所述支撑杆的径向两侧。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，位于同一所述石墨过滤板上的多个所述过滤孔的孔径相等，且在由下到上的方向上，位于上层的所述石墨过滤板的参数小于位于下层的所述石墨过滤板的参数，其中所述参数为孔径、孔隙率和厚度中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，以过所述支撑杆的中心轴线的面为参考面，所述参考面上的位于同一层的所述导流叶片的径向内边缘高于所述导流叶片的径向外边缘，且位于同一层的所述导流叶片的下表面与水平面的夹角为α，α满足：30°≤α≤60°。

5.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚本体的内周壁设有螺旋凹槽，所述螺旋凹槽与所述导流叶片的形状相匹配，所述导流叶片的外缘与所述螺旋凹槽卡接配合，和/或，所述坩埚本体的底壁设有固定槽，所述支撑杆的底端与所述固定槽卡接配合。

6.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，还包括：

驱动装置，所述驱动装置设于所述坩埚本体的下方，所述支撑杆的底部穿过坩埚本体与所述驱动装置相连，所述驱动装置适于驱动所述导流件在不同转速下转动。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述碳化硅晶体生长装置还包括：

第一导流罩，所述第一导流罩罩设在所述导流件的外侧，所述第一导流罩的底部形成有与所述碳化硅原料正对的第一敞开口，所述第一导流罩的顶部形成有与所述籽晶正对的第二敞开口，在由下到上的方向上，所述导流叶片的外径以及所述第一导流罩的内径均逐渐减少。

8.根据权利要求7所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述第一导流罩设有多个导流孔，所述导流孔在所述第一导流罩的厚度方向上贯穿所述第一导流罩，所述碳化硅晶体生长装置还包括：第二导流罩，所述第二导流罩罩设在所述第一导流罩的外侧，且所述第二导流罩的内壁与所述第一导流罩的外壁间隔开，所述第二导流罩的顶部具有与所述籽晶以及所述第二敞开口正对的第三敞开口。

9.根据权利要求6所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，还包括：第三导流罩，所述第三导流罩设在所述容纳腔内，所述第三导流罩限定出由下到上依次布置的第一腔室、第二腔室和第三腔室，在由下至上的方向上，所述第一腔室的过流面积逐渐减小，所述第二腔室的过流面积先减小后增大，所述第三腔室的过流面积逐渐增大，所述导流叶片包括由下到上依次相连的第一螺旋段、第二螺旋段和第三螺旋段，所述第一螺旋段、第二螺旋段和第三螺旋段依次分别设置在所述第一腔室、所述第二腔室和所述第三腔室内，且在由下至上的方向上，所述第一螺旋段的外径逐渐减小，所述第二螺旋段的外径先减小后增大，所述第三螺旋段的外径逐渐增大。