[实用新型]光照设备以及半导体处理设备

说明书

本申请公开一种光照设备以及半导体处理设备，能够减小因灯泡灼烧(Bulb burning)导致的UVLS发出的光源强度衰减，优化光刻效果。本申请中的光照设备包括：光源，用于输出第一功率的光信号，且所述光信号至少能够沿预设光路出射；放大灯罩，所述光信号出射时经过所述放大灯罩，所述放大灯罩表面设置有至少两个预设区域，各个所述预设区域的透光率相同；驱动部，通过传动器件连接到所述放大灯罩，用于驱动所述放大灯罩转动，所述放大灯罩转动过程中，始终以所述预设区域经过所述预设光路。

技术领域

本申请涉及半导体存储装置领域，具体涉及光照设备以及半导体处理设备。

背景技术

在半导体集成电路要经历材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、渗杂、化学机械抛光等多个工序才可以制造出来，其中光刻工艺最为关键，决定着制造工艺的先进程度。

光刻工艺技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程如下：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶，使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。

光刻工艺的核心设备是光刻机，其直接决定了集成电路最小的特征尺寸。

现有技术中，光刻机中紫外线水平检测器(Ultra violet leveling sensor，以下简称UVLS)的灯箱(lamp house)中的灯会因为灯泡灼烧(Bulb burning)的现象，导致UVLS发出的光源强度衰减，影响最终的光刻效果。

实用新型内容

鉴于此，本申请提供一种光照设备以及半导体处理设备，能够减小因灯泡灼烧(Bulb burning)导致的UVLS发出的光源强度衰减，优化光刻效果。

本申请中的光照设备包括：光源，用于输出第一功率的光信号，且所述光信号至少能够沿预设光路出射；放大灯罩，所述光信号出射时经过所述放大灯罩，所述放大灯罩表面设置有至少两个预设区域，各个所述预设区域的透光率相同；驱动部，通过传动器件连接到所述放大灯罩，用于驱动所述放大灯罩转动，所述放大灯罩转动过程中，始终以所述预设区域经过所述预设光路。

可选的，所述预设区域分布在所述放大灯罩的整个表面。

可选的，所述驱动部能够驱动所述放大灯罩绕所述光源所在点位转动。

可选的，所述放大灯罩包括球形放大灯罩。

可选的，所述光源出射的光信号的波长范围为450～750nm。

可选的，所述驱动部驱动所述放大灯罩转动时，绕一经过所述光源所在点位的固定轴转动，且转动速度小于或等于1圈/分。

可选的，所述光源包括惰性气体以及激光光源，所述激光光源用于提供激光，所述惰性气体置于所述放大灯罩中，用于在所述激光的照射下激发发光。

本申请中的一种半导体处理设备，包括壳体以及所述的光照设备，且所述光照设备设置在所述壳体内，且所述壳体在所述预设光路上设置有透光区域，所述光信号能够通过所述透光区域穿过所述壳体。

可选的，所述半导体处理设备为光刻机。

可选的，还包括光学组件，设置在所述预设光路上，用于将沿所述预设光路出射的平行光聚焦到预设位置。

可选的，还包括：光强度侦测装置，设置到所述预设光路上，用于侦测所述光信号在所述预设光路方向上的强度。