[实用新型]半导体散热片及其抓取装置有效
| 申请号: | 202220682168.5 | 申请日: | 2022-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN217955830U | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
| 发明(设计)人: | 唐海洋;王奎 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L23/367 |
| 代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
| 地址: | 226006 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 散热片 及其 抓取 装置 | ||
1.一种半导体散热片的抓取装置,其特征在于,包括:
架体(10),所述架体(10)包括顶架(20)以及设置在所述顶架(20)周向的抓板(30),所述抓板(30)和所述顶架(20)围设出用于容纳散热片的抓取腔(11),所述抓板(30)内开设有容纳腔(31),所述抓板(30)朝向所述抓取腔(11)的一侧设有与所述容纳腔(31)连通的开口(32);
转杆(40)和转轴(50),所述转轴(50)设置在所述容纳腔(31)内,所述转杆(40)轴接在所述转轴(50)上,且可选择的在至少部分伸出所述开口(32)的第一位置和退回至所述容纳腔(31)内的第二位置之间切换;
复位机构(60),所述复位机构(60)设置在所述容纳腔(31)内,且用于将所述转杆(40)由所述第一位置切换至所述第二位置;
拉动机构(70),所述拉动机构(70)设置在所述顶架(20)上并与所述转杆(40)连接,且用于带动所述转杆(40)由所述第二位置切换至所述第一位置。
2.根据权利要求1所述的半导体散热片的抓取装置,其特征在于,所述转杆(40)的中部连接于所述转轴(50),所述转杆(40)的上部与所述拉动机构(70)相连,所述转杆(40)的下部对应位于所述开口(32)处,在所述第二位置时,所述转杆(40)的下部位于所述容纳腔(31)内,在所述第一位置时,所述转杆(40)的下部至少部分伸出所述开口(32)。
3.根据权利要求2所述的半导体散热片的抓取装置,其特征在于,所述拉动机构(70)包括:
抽气装置(71),所述抽气装置(71)设置在所述顶架(20)上,所述抽气装置(71)连接有气管(72);
伸缩管(73),所述伸缩管(73)的一端密封连接在所述转杆(40)的上部,另一端与所述气管(72)连通;其中,
所述抽气装置(71)通过抽出所述气管(72)内的气体以使所述伸缩管(73)收缩,进而带动所述转杆(40)由所述第二位置切换至所述第一位置。
4.根据权利要求3所述的半导体散热片的抓取装置,其特征在于,所述气管(72)设置在所述顶架(20)的内部,所述顶架(20)的顶部设有安装孔(21),所述抽气装置(71)的气口贯穿所述安装孔(21)并与所述气管(72)连通。
5.根据权利要求4所述的半导体散热片的抓取装置,其特征在于,所述顶架(20)的内部设有与所述安装孔(21)连通的管路通道(22),所述管路通道(22)延伸至所述转杆(40)的上部并与所述容纳腔(31)连通,所述气管(72)设置在所述管路通道(22)内。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体散热片的抓取装置,其特征在于,所述转杆(40)的下部包括对应所述开口(32)设置的凸齿(41),在所述第一位置时,所述凸齿(41)伸出所述开口(32)。
7.根据权利要求6所述的半导体散热片的抓取装置,其特征在于,所述凸齿(41)设置至少两个,所述开口(32)与所述凸齿(41)设置的相同数量且位置对应。
8.根据权利要求6所述的半导体散热片的抓取装置,其特征在于,所述复位机构(60)包括相互吸引的第一磁块(61)和第二磁块(62),所述第一磁块(61)设置在所述转杆(40)的下部且位于相对所述凸齿(41)的一侧,所述第二磁块(62)对应所述第一磁块(61)设置在所述容纳腔(31)的内壁上。
9.根据权利要求6所述的半导体散热片的抓取装置,其特征在于,所述抓板(30)沿所述顶架(20)的周向对称设置至少两个。
10.一种半导体散热片,其特征在于,所述散热片(80)与所述权利要求1-9中任一项所述的半导体散热片的抓取装置配合使用,所述散热片(80)的侧部设有凹槽(81)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





