[实用新型]一种互连结构

说明书

本实用新型涉及一种互连结构。根据本实用新型的一实施例，一种互连结构包含：着陆区；导电柱，其安置在所述着陆区上且经配置以电耦合或热耦合至所述着陆区，所述导电柱包括：顶部，其具有第一宽度；以及第一部分，其低于所述顶部且具有第二宽度，其中所述第一宽度从横截面角度看去大于所述第二宽度。

技术领域

本实用新型大体涉及互连结构，尤其涉及具有优良电学和机械特性的新型半导体互连结构。

背景技术

随着半导体存储器技术的发展，内存带宽的增加导致输入输出接口(I/O)数量不断增长，这一方面要求I/O彼此之间的间距进一步缩短，另一方面要求每一I/O互连件的个体直径也要随之减小。

对于具有更小直径的小尺寸互连件而言，互连件下表面区与钝化层之间的附着力将会降低，原因在于种子层底切将在总面积中逐渐占据更大的比例。当互连件的直径与钝化开口接近时，种子层底切将导致焊盘(例如，铝焊盘)暴露在外，使得焊盘极易发生腐蚀。

此外，通常期望焊料高度与导电柱直径的纵横比保持小于60％以防止焊料塌落。然而，随着互连件直径的减小，焊料的体积(或给定导电柱直径下的焊料厚度，即“焊点厚度”)将不可避免地随之减小。当焊点厚度降得过低时，克氏空孔(Kirkendall Voids)及金属间化合物(Intermetallic Compound，IMC)将可导致电迁移问题以及高温存储可靠性问题。尽管可以通过将纵横比改为60％以上来增加焊点厚度以在某种程度上缓解克氏空孔等不利因素，但又会出现焊料塌落问题。焊料塌落会导致互连开路或短路，从而导致良率和可靠性等一系列问题。

不仅如此，传统的互连件通常具有垂直侧壁和较小的粘合层厚度(Bondlinethickness,BLT)，因而容易导致非导电膜(Non-Conductive Film，NCF)、模塑底部填充(Molded Underfill，MUF)或毛细底部填料(Capillary Underfill，CUF)难以在传统互连件阵列的间隙内顺畅流动，导致难以确实填充间隙。

有鉴于此，本领域迫切需要提供改进方案以解决上述问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种具有优良电学和机械特性的新型半导体互连结构。

根据本实用新型的一实施例，一种互连结构，其特征在于，所述互连结构包含：着陆区；导电柱，其安置在所述着陆区上且经配置以电耦合或热耦合至所述着陆区，所述导电柱包括：顶部，其具有第一宽度；以及第一部分，其低于所述顶部且具有第二宽度，其中所述第一宽度从横截面角度看去大于所述第二宽度。

根据本实用新型的另一实施例，互连结构中的所述第一多个导电迹线的至少一部分垂直于所述基板的所述边缘。

根据本实用新型的另一实施例，互连结构中的所述第一宽度为所述第二宽度的1.5倍至2.5倍。

根据本实用新型的另一实施例，互连结构中与所述顶部和低于所述顶部的所述第一部分相连接的所述导电柱的侧表面包括凹形轮廓。

根据本实用新型的另一实施例，互连结构中的所述导电柱进一步包含与所述着陆区的电介质相接触的底部，所述底部具有第三宽度，其中所述第三宽度大于所述第二宽度。

根据本实用新型的另一实施例，互连结构中的所述第三宽度为所述第二宽度的1.5倍至2.5倍。

根据本实用新型的另一实施例，互连结构中与所述顶部、低于所述顶部的所述第一部分以及所述底部相连接的所述导电柱的侧表面包括凹形轮廓。

根据本实用新型的另一实施例，互连结构进一步包括第二部分，所述第二部分低于所述顶部且具有大于所述第二宽度的第四宽度。

根据本实用新型的另一实施例，互连结构中的所述第二部分与所述顶部相连接或与所述底部相连接。