[实用新型]一种微发光二极管巨量转移装置

说明书

本实用新型涉及一种微发光二极管巨量转移装置。包括：柔性基板；以及设置在所述柔性基板一侧表面的镂空结构；其中，所述镂空结构用于吸附所述微发光二极管。在本申请中，微发光二极管巨量转移装置可用于将临时基板上的微发光二极管转移至目标基板，具体的，首先将镂空结构与临时基板上的微发光二极管对齐，通过按压柔性基板排出镂空结构内的空气从而吸附微发光二极管，实现微发光二极管从临时基板到镂空结构的转移；然后将吸附有微发光二极管的镂空结构移动至目标基板，使得微发光二极管与目标基板相键合；最后再施加外力使得柔性基板弯曲，从而空气进入镂空结构完成柔性基板与微发光二极管的分离，从而将微发光二极管转移到目标基板。

技术领域

本实用新型涉及发光器件技术领域，尤其涉及一种微发光二极管巨量转移装置。

背景技术

Micro-LED(微型发光二极管芯片)是将现有LED结构设计薄膜化、微小化与阵列化，尺寸仅约1～100μm等级。Micro-LED目前在寿命、对比度、能耗、反应时间与可视角等指标方面均胜过LCD和OLED。因此Micro-LED被认为是下一代的显示技术。

目前Micro-LED巨量转移大多使用平面式转移装置，利用平面式转移装置的黏性来拾取Micro-LED。然而随着使用次数的增加，平面式转移装置的黏性会逐渐降低，与Micro-LED的结合力也会越来越小，影响Micro-LED转移良率的同时利用率也低。

因此，如何提高平面式转移装置的转移良率和利用率是亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种一种微发光二极管巨量转移装置，旨在解决现有技术中转移装置的转移良率和利用率低的技术问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种微发光二极管巨量转移装置，包括：柔性基板；所述柔性基板包括柔性基底，以及设置在所述柔性基底一侧的柔性凸起部；

镂空结构，所述镂空结构设置在所述柔性凸起部背离所述柔性基底的一侧表面；

其中，所述镂空结构包括多个阵列排布的凹槽，用于吸附所述微发光二极管。

在本申请中，微发光二极管巨量转移装置可用于将临时基板上的微发光二极管转移至目标基板，具体的，首先将镂空结构与临时基板上的微发光二极管对齐，通过按压柔性基板，使空气从镂空结构排除，此时微发光二极管与镂空结构的接触面压力比环境压力低，从而微发光二极管在压力差和范德华力的共同作用下被牢固的吸附在镂空结构上，实现微发光二极管从临时基板到镂空结构的转移；然后将吸附有微发光二极管的镂空结构移动至目标基板，使得微发光二极管与目标基板相键合；最后再施加外力使得柔性基板弯曲，从而空气进入镂空结构完成柔性基板与微发光二极管的分离，从而将微发光二极管转移到目标基板。由于本申请在柔性基板下设置了镂空结构，利用镂空结构形成的压力差来拾取微发光二极管，其结合力稳定，可重复利用率高，避免了现有技术中转移装置的转移良率和利用率低的技术问题；且柔性基板良好的弯曲变形能力，使得微发光二极管与目标基板键合后，便于镂空结构与微发光二极管的分离。另外，由于镂空结构包括多个阵列排布的凹槽，使得其在完成微发光二极管的转移过程中，无需将镂空结构刻意对准微发光二极管，大大降低了微发光二极管的转移难度。

可选的，所述柔性基底和所述柔性凸起部一体成型设置。

可选的，所述柔性基底的长度大于所述柔性凸起部的长度。

可选的，所述柔性凸起部包括：多个间隔设置的柔性凸起单元，每个所述柔性凸起单元背离所述柔性基底的一侧表面均设置有所述镂空结构。

可选的，相邻两个所述柔性凸起单元之间的间距小于或等于相邻两个所述微发光二极管之间的间距。