[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板，包括显示区和位于所述显示区至少一侧的非显示区；

薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上，且所述薄膜晶体管位于所述显示区内；

钝化层，设置于所述薄膜晶体管和所述衬底基板上；

其中，所述钝化层包括位于所述显示区的第一钝化层和位于所述非显示区的第二钝化层，所述第一钝化层与所述第二钝化层同层设置，且所述第一钝化层的光穿透率高于所述第二钝化层的光穿透率。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的材料为氧化硅。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二钝化层的材料为氮化硅。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：有源层、栅极绝缘层、栅极、源极及漏极；其中，所述有源层设置于所述衬底基板上，所述栅极绝缘层设置于所述有源层上，所述栅极设置于所述栅极绝缘层上，所述源极和所述漏极设置于所述栅极上，所述钝化层设置于所述源极和所述漏极上。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、有源层、源极及漏极；其中，所述栅极设置于所述衬底基板上，所述栅极绝缘层设置于所述栅极上，所述有源层设置于所述栅极绝缘层上，所述源极和所述漏极设置于所述有源层上，所述钝化层设置于所述源极和所述漏极上。

6.如权利要求4-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层设置于所述钝化层靠近所述源极和所述漏极的一侧，所述第二电极层设置于所述钝化层远离所述源极和所述漏极的一侧。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板，所述衬底基板包括显示区和位于所述显示区至少一侧的非显示区；

在所述衬底基板上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述显示区内；

在所述薄膜晶体管和所述衬底基板上形成第一钝化层，所述第一钝化层形成在所述显示区内；

在所述衬底基板上形成第二钝化层，所述第二钝化层形成在所述非显示区内，且所述第二钝化层与所述第一钝化层同层设置；

其中，所述第一钝化层的光穿透率高于所述第二钝化层的光穿透率。

8.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的材料为氧化硅。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二钝化层的材料为氮化硅。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。