[发明专利]钝化碳化硅栅极氧化层的方法以及相应的制备方法、器件在审
| 申请号： | 202211671044.8 | 申请日： | 2022-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN115863162A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 宋立辉;皮孝东;刘帅;熊慧凡;茆威威 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/329;H01L29/94 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钝化 碳化硅 栅极 氧化 方法 以及 相应 制备 器件 | ||
1.一种钝化碳化硅栅极氧化层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用预定之比的NO与N2O混合气体退火，从而对碳化硅栅极氧化层进行钝化；其中，所述预定之比的范围为1:1～1:1.2。
2.根据权利要求1所述的钝化碳化硅栅极氧化层的方法，其特征在于，当采用预定之比的NO与N2O混合气体进行退火时的温度为1245～1255摄氏度。
3.一种碳化硅栅极氧化层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供碳化硅外延，利用低压化学气相沉积法在所述碳化硅外延表面形成栅氧化层；
采用预定之比的NO与N2O混合气体退火对所述栅氧化层进行钝化，其中，所述预定之比的范围为1:1～1:1.2。
4.根据权利要求3所述的碳化硅栅极氧化层的制备方法，其特征在于，当采用预定之比的NO与N2O混合气体进行退火时的温度为1245～1255摄氏度。
5.一种MOS电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供碳化硅外延，利用低压化学气相沉积法在所述碳化硅外延表面形成栅氧化层；
采用预定之比的NO与N2O混合气体退火对所述栅氧化层进行钝化，其中，所述预定之比的范围为1:1～1:1.2；
再基于后续工艺制备得到MOS电容器。
6.根据权利要求5所述的MOS电容器的制备方法，其特征在于，当采用预定之比的NO与N2O混合气体进行退火时的温度为1245～1255摄氏度。
7.一种MOS电容器，其特征在于，所述MOS电容器是采用如权利要求5～6中任意一项所述MOS电容器的制作方法形成的。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括根据权利要求3～4中任意一项所述碳化硅栅极氧化层的制作方法形成的栅极氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
