[发明专利]一种透明基线路板的制备工艺优化方法及系统

权利要求书

1.一种透明基线路板的制备工艺优化方法，其特征在于，应用于透明基线路板的制备机床，所述机床包括PVD真空镀膜设备，所述PVD真空镀膜设备包括缓冲层镀膜通道和蚀刻层镀膜通道，包括：

根据PVD真空镀膜设备，获取缓冲层镀膜通道和蚀刻层镀膜通道；

将第一状态透明玻璃基板输入所述缓冲层镀膜通道进行镀膜，生成第二状态透明玻璃基板；

将所述第二状态透明玻璃基板输入所述蚀刻层镀膜通道进行镀膜，生成第三状态透明玻璃基板；

将蚀刻线路打印件和所述第三状态透明玻璃基板粘合，生成第四状态透明玻璃基板；

根据曝光工艺控制参数和蚀刻工艺控制参数进行生产预测，获得成品概率；

当所述成品概率小于或等于概率阈值，对所述曝光工艺控制参数和所述蚀刻工艺控制参数进行优化，生成曝光工艺控制参数优化结果和蚀刻工艺控制参数优化结果；

根据所述曝光工艺控制参数优化结果初始化曝光加工通道，根据所述蚀刻工艺控制参数优化结果初始化蚀刻加工通道后，对所述第四状态透明玻璃基板进行加工处理，生成透明基线路板。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将第一状态透明玻璃基板输入所述缓冲层镀膜通道进行镀膜，生成第二状态透明玻璃基板，包括：

根据所述第一状态透明玻璃基板，匹配缓冲层材料类型、缓冲层厚度参数和缓冲层面积参数；

根据所述缓冲层材料类型、所述缓冲层厚度参数和所述缓冲层面积参数，基于第一云端粒子库，筛选缓冲层镀膜控制参数；

将所述缓冲层镀膜控制参数控制所述缓冲层镀膜通道对所述第一状态透明玻璃基板进行镀膜，生成所述第二状态透明玻璃基板。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述缓冲层材料类型、所述缓冲层厚度参数和所述缓冲层面积参数，基于第一云端粒子库，筛选缓冲层镀膜控制参数，包括：

将所述缓冲层材料类型、所述缓冲层厚度参数和所述缓冲层面积参数输入所述第一云端粒子库，获取多个缓冲层镀膜控制粒子；

遍历所述多个缓冲层镀膜控制粒子，提取多组：缓冲材料溅射位置、缓冲材料单位溅射量、缓冲材料溅射频率和缓冲材料溅射时间；

根据所述多组：缓冲材料溅射位置、缓冲材料单位溅射量、缓冲材料溅射频率和缓冲材料溅射时间的触发频率特征，对所述多个缓冲层镀膜控制粒子进行可信度评价，生成多个粒子支持度；

根据所述多个粒子支持度筛选最大粒子支持度，生成所述缓冲层镀膜控制参数。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述第二状态透明玻璃基板输入所述蚀刻层镀膜通道进行镀膜，生成第三状态透明玻璃基板，包括：

根据所述第二状态透明玻璃基板，匹配铜膜厚度参数和铜膜面积参数；

根据所述铜膜厚度参数和铜膜面积参数，基于第二云端粒子库，筛选蚀刻层镀膜控制参数；

将所述蚀刻层镀膜控制参数控制所述蚀刻层镀膜通道对所述第二状态透明玻璃基板进行镀膜，生成所述第三状态透明玻璃基板。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据曝光工艺控制参数和蚀刻工艺控制参数进行生产预测，获得成品概率，包括：

当所述曝光工艺控制参数输入成品概率标识模型时，激活曝光成品概率标识层，输出曝光成品概率；

当所述蚀刻工艺控制参数输入所述成品概率标识模型时，激活蚀刻成品概率标识层，输出蚀刻成品概率；

将所述曝光成品概率和所述蚀刻成品概率融合，获得所述成品概率。