[发明专利]一种差分MZM芯片的倒装焊封装结构

权利要求书

1.一种差分MZM芯片的倒装焊封装结构，其特征在于，包括：差分马赫曾德调制器MZM芯片和基板；

所述差分MZM芯片的电极侧朝下，正对基板；

所述基板的上表面铺设有金属，所述金属的面积超出预设值；所述基板的上表面通过倒装焊的焊点与差分MZM芯片电极侧的地电极互连，基板上表面金属形成有效的交流信号地结构，使得差分MZM芯片电极与上表面金属之间形成等效的微带线结构；当所述差分MZM芯片工作时，差分MZM芯片电极侧的正电极产生微带线效应，使得差分MZM芯片的性能得到优化。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述基板的上表面金属的面积可超出或偏离MZM芯片电极的投影范围，以能够使所述正电极产生微带线效应为准。

3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述基板的上表面金属的图案为整片金属、网格、密集互连的格栅、偏离MZM电极投影范围的金属条或其他能够让正电极产生微带线效应所需的等效交流信号地结构的图案。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述基板为高频且低损耗的基板。

5.根据权利要求1或4所述的结构，其特征在于，所述基板为微波PCB板、陶瓷基板或者硅基板。

6.根据权利要求1至4任一项所述的结构，其特征在于，当所述差分MZM芯片工作时，所述正电极的微带线效应使微波折射率下降，随之微波折射率与光折射率保持一致，使得微波速度与光波速度匹配；此外，所述正电极的微带线效应使微波损耗降低，在高频下差分MZM芯片正电极和负电极的特征阻抗与预设目标阻抗均依然保持接近，高频阻抗匹配度提升，相应的高频带宽提高。

7.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述差分MZM芯片倒装焊封装结构适用于100GHz及以上带宽的高速光通信封装链路。

8.一种差分MZM芯片的倒装焊封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上铺设一层金属，所述金属的面积超出预设值；

将差分马赫曾德调制器MZM芯片倒装焊到基板的上表面；其中，所述基板的上表面通过倒装焊的焊点与差分MZM芯片电极侧的地电极互连，基板上表面金属形成有效的交流信号地结构，使得差分MZM芯片电极与上表面金属之间形成等效的微带线结构；当所述差分MZM芯片工作时，差分MZM芯片电极侧的正电极产生微带线效应，使得差分MZM芯片的性能得到优化。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述基板为高频且低损耗的基板。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述基板为微波PCB板、陶瓷基板或者硅基板。