[发明专利]半导体器件的制造方法

说明书

本申请公开了一种半导体器件的制造方法，该半导体器件的制造方法包括提供一正面形成有器件结构的第一晶圆；对第一晶圆依次进行背面减薄、背面离子注入、激光退火和背面金属层沉积，得到第二晶圆；对第二晶圆依次进行划片和贴片，得到若干半导体器件；对若干半导体器件进行热退火处理。本方案可以避免背面金属层在热退火过程中被氧化。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是一种MOS场效应晶体管和双极型晶体管复合的新型电力电子器件。它既有MOSFET易于驱动，控制简单的优点，又有功率晶体管导通压降低，通态电流大，损耗小的优点，已成为现代电力电子电路中的核心电子元器件之一，广泛地应用在诸如通信、能源、交通、工业、医学、家用电器及航空航天等国民经济的各个领域。IGBT的应用对电力电子系统性能的提升起到了极为重要的作用。

在现有的IGBT制造过程中，通常会在背面金属层形成之后，进行热退火处理，从而改善欧姆接触，使得背面金属层与背部硅材料形成良好的电连接。但是，热退火过程中，背面金属层会存在一定的氧化风险，影响背面金属层与背部硅材料之间的欧姆接触。

发明内容

本申请提供了一种半导体器件的制造方法，可以避免背面金属层在热退火过程中被氧化。

本申请提供了一种半导体器件的制造方法，包括：

提供一正面形成有器件结构的第一晶圆；

对所述第一晶圆依次进行背面减薄、背面离子注入、激光退火和背面金属层沉积，得到第二晶圆；

对所述第二晶圆依次进行划片和贴片，得到若干半导体器件；

对若干所述半导体器件进行热退火处理。

在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述对若干所述半导体器件进行热退火处理，包括：

在具有氮气的氛围下，对若干所述半导体器件进行低温退火处理。

在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述低温退火处理的退火温度为380℃～400℃。

在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述低温退火的退火时长为30min。

在本申请提供的半导体器件的制造方法中，在所述对若干所述半导体器件进行热退火处理之后，还包括：

对热退火处理后的若干所述半导体器件进行预处理，得到若干目标半导体器件。

在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述对热退火处理后的若干所述半导体器件进行预处理，得到若干目标半导体器件，包括：

对热退火处理后的若干所述半导体器件依次进行键合处理、塑封处理、固化处理和电镀处理，得到若干所述目标半导体器件。

在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述背面离子注入包括背面硼离子注入和/或背面磷离子注入。

在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述背面离子注入的深度为1um～2um。

在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述激光退火采用的激光波长为500nm～600nm。

在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述背面金属层的材料包括Ti、Ni、Ag、Au、Al中的至少一种。