[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202211442458.3 | 申请日： | 2022-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN115831728A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;文雨;姜春亮 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘自丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括:
提供一正面形成有器件结构的第一晶圆；
对所述第一晶圆依次进行背面减薄、背面离子注入、激光退火和背面金属层沉积，得到第二晶圆；
对所述第二晶圆依次进行划片和贴片，得到若干半导体器件；
对若干所述半导体器件进行热退火处理。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述对若干所述半导体器件进行热退火处理，包括：
在具有氮气的氛围下，对若干所述半导体器件进行低温退火处理。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述低温退火处理的退火温度为380℃℃～400℃。
4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述低温退火的退火时长为30min。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述对若干所述半导体器件进行热退火处理之后，还包括：
对热退火处理后的若干所述半导体器件进行预处理，得到若干目标半导体器件。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述对热退火处理后的若干所述半导体器件进行预处理，得到若干目标半导体器件，包括：
对热退火处理后的若干所述半导体器件依次进行键合处理、塑封处理、固化处理和电镀处理，得到若干所述目标半导体器件。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述背面离子注入包括背面硼离子注入和/或背面磷离子注入。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述背面离子注入的深度为1um～2um。
9.如权利要求1-8任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述激光退火采用的激光波长为500nm～600nm。
10.如权利要求1-8任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述背面金属层的材料包括Ti、Ni、Ag、Au、Al中的至少一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
