[发明专利]感光晶体管及其制作方法、探测器、显示器及微流控芯片

说明书

本发明公开了一种感光晶体管及其制作方法、探测器、显示器及微流控芯片，包括衬底基板，位于衬底基板一侧的第一半导体层、第一栅极、第一极、第二极和第二半导体层；第一半导体层包括第一掺杂区、第二掺杂区和沟道区，第二半导体层与沟道区直接接触，第二半导体层的面积小于第一半导体层的面积；包括主区域和开口区域，开口区域位于主区域的外围；第一极与第二极同层且相互绝缘，均围绕主区域；第一极的端部与第二极之间的区域，以及第二极的端部与第一极之间的区域均形成开口区域；第二半导体层包括主体部和辅助部，主体部位于主区域，辅助部位于开口区域，能够有效提升感光晶体管的稳定性和光电探测的灵敏度。

技术领域

本发明涉及光电探测技术领域，尤其涉及一种感光晶体管及其制作方法、探测器、显示器及微流控芯片。

背景技术

感光晶体管由于其灵敏度高、可靠性好等优势广泛应用于光探测器、光学触摸屏等多种领域。

现有技术中的感光晶体管，由于其结构缺陷造成器件各部位的结构不均匀，导致器件的稳定性较差，并且由于感光层的覆盖面积较小使得存在某些位置在光照下产生的光生载流子较少，从而降低了感光晶体管整体的光电增益，导致其敏感度不足。

发明内容

本发明提供了一种感光晶体管及其制作方法、探测器、显示器及微流控芯片，以提升感光晶体管的稳定性和光电探测的灵敏度。

根据本发明的一方面，提供了一种感光晶体管，包括衬底基板，位于所述衬底基板一侧的第一半导体层、第一栅极、第一极、第二极和第二半导体层；

所述第一半导体层包括第一掺杂区、第二掺杂区和沟道区，所述沟道区位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间；

所述第一极与所述第一掺杂区电连接，所述第二极与所述第二掺杂区电连接，垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一栅极与所述沟道区绝缘交叠；

所述第二半导体层与所述沟道区直接接触，所述第二半导体层的面积小于所述第一半导体层的面积；

包括主区域和开口区域，所述开口区域位于所述主区域的外围；所述第一极与所述第二极同层且相互绝缘，均围绕所述主区域；所述第一极的端部与所述第二极之间的区域，以及所述第二极的端部与所述第一极之间的区域均形成所述开口区域；

所述第二半导体层包括主体部和辅助部，所述主体部位于所述主区域，所述辅助部位于所述开口区域。

根据本发明的另一方面，提供了一种感光晶体管的制作方法，包括：

形成第一栅极；

形成栅极绝缘层；

形成第一半导体层和第二半导体层；其中，所述第二半导体层的面积小于所述第一半导体层的面积；

在未被所述第二半导体层覆盖的所述第一半导体层上掺杂，形成第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区；其中，所述沟道区位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间；

形成与所述第一掺杂区电连接的第一极，与所述第二掺杂区电连接的第二极；

其中，所述感光晶体管包括主区域和开口区域，所述开口区域位于所述主区域的外围；所述第一极与所述第二极同层且相互绝缘，均围绕所述主区域；所述第一极的端部与所述第二极之间的区域，以及所述第二极的端部与所述第一极之间的区域均形成所述开口区域；

所述第二半导体层包括主体部和辅助部，所述主体部位于所述主区域，所述辅助部位于所述开口区域。

根据本发明的另一方面，提供了一种光电探测器，包括上述的感光晶体管。

根据本发明的另一方面，提供了一种显示器，包括上述的感光晶体管。

根据本发明的另一方面，提供了一种微流控芯片，包括多个行列排布的像素区域；