[发明专利]一种硅片清洗装置及清洗工艺

说明书

本发明提供一种硅片清洗装置，包括清洗部一和清洗部二，其中，所述清洗部一和所述清洗部二均设有：转台，其与硅片边缘接触，用于控制硅片旋转并使硅片悬置；喷淋组，其置于硅片两侧表面，用于对硅片双侧表面进行喷淋；所述清洗部一中还设有刷子刷洗硅片。本发明一种硅片清洗装置，尤其是适用于大尺寸硅片的逐片清洗，硅片单片式进行清洗，清洗后再继续对硅片进行吹气甩干；相对于原有的传统槽式清洗工艺，本发明可降低抛光硅片表面的颗粒和金属杂质，使硅片表面减少反被污染。本发明还提出一种采用该清洗装置的清洗工艺。

技术领域

本发明属于硅片清洗用药液的配置技术领域，尤其是涉及一种硅片清洗装置及清洗工艺。

背景技术

硅片抛光后对硅片的清洗是非常重要的工序之一，也是整个硅片加工中最难处理的部分。硅片的抛光是通过化学机械作用，将表面研磨至最优状态，但是之后的清洗需要将原本残留在硅片表面的抛光液和异物清理掉，得到光滑平整的表面。随着半导体特征尺寸的减小以及集成度的提高，对硅片表面的的颗粒对要求也越来越高，而此种单片清洗的方式可以对每片硅片单独处理，实现最佳洁净状态。

而现有硅片清洗时大都是槽式清洗机，就是每个清洗步骤中都是在槽体承放的清洗液中对批量硅片进行清洗，每次清洗都是同一批次的若干硅片同步进入清洗槽中进行清洗。每次取硅片，都是同步将这一批次的硅片基体同步取出，导致清洗槽中的药液高度瞬间下落。由于每批次的硅片数量较多，导致槽内溶液变化幅度较大，再放入下一批次的硅片时，就需要有一个很长的缓冲时间来向槽体内续液，致使在续液时无法清洗硅片，使得硅片容易堆积，且前后工序之间设备的稼动率较低，而且还影响整体加工生产进度。

还有，多批次的批量硅片清洗后，会导致药液中的浓度被稀释，其清洗效果就会减弱，从而会导致批量硅片表面清洗不合格，需要返工清洗或直接报废，不仅清洗时间长而且清洗质量不均匀。

随着硅片尺寸逐步加大，尤其是对于大尺寸硅片，如12寸、18寸的硅片而言，现有批量硅片同槽清洗方式无法完全将大尺寸硅片清洗干净，因硅片表面面积大导致相邻硅片容易粘连，导致硅片表面清洗不均匀，质量无法保证。

发明内容

本发明提供一种硅片清洗装置及清洗工艺，尤其是适用于大尺寸硅片的逐片清洗，解决了现有清洗技术导致批量硅片表面清洗不合格，清洗效率低的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种硅片清洗装置，包括清洗部一和清洗部二，其中，

所述清洗部一和所述清洗部二均设有：

转台，其与硅片边缘接触，用于控制硅片旋转并使硅片悬置；

喷淋组，其置于硅片两侧表面，用于对硅片双侧表面进行喷淋；

所述清洗部一中还设有刷子刷洗硅片。

进一步的，所述转台包括：

固定台，沿其平面设有若干长条孔；

转头，竖向设置，沿其外壁面设有环形凹槽，所述凹槽直接与硅片边缘相适配；

支撑柱，固定在所述固定台上且贯穿所述长条孔立式设置，其内部设有转轴，所述转头设置在所述转轴顶部；

电机，其输出端与所述转轴连接，以驱动所述转头沿竖向轴向旋转；

所有所述长条孔的延长端相交于所述固定台的圆心，并沿所述固定台的周缘发散设置。

进一步的，在所述长条孔中沿其长度方向设有轨道，所述支撑柱与所述轨道滑动连接；

所述支撑柱可带动所述转头沿所述轨道往复滑动；

所述固定台与硅片同轴心配置。