[发明专利]一种硅片清洗装置及清洗工艺在审
申请号: | 202211246151.6 | 申请日: | 2022-10-12 |
公开(公告)号: | CN115502136A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 刘园;袁祥龙;赵洋;武卫;刘建伟;祝斌;刘姣龙;裴坤羽;孙晨光;王彦君;张宏杰;由佰玲;常雪岩;杨春雪;谢艳;刘秒;吕莹;徐荣清 | 申请(专利权)人: | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
主分类号: | B08B3/02 | 分类号: | B08B3/02;B08B3/10;B08B13/00 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 清洗 装置 工艺 | ||
1.一种硅片清洗装置,其特征在于,包括清洗部一和清洗部二,其中,所述清洗部一和所述清洗部二均设有:
转台,其与硅片边缘接触,用于控制硅片旋转并使硅片悬置;
喷淋组,其置于硅片两侧表面,用于对硅片双侧表面进行喷淋;
所述清洗部一中还设有刷子刷洗硅片。
2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗装置,其特征在于,所述转台包括:固定台,沿其平面设有若干长条孔;
转头,竖向设置,沿其外壁面设有环形凹槽,所述凹槽直接与硅片边缘相适配;
支撑柱,固定在所述固定台上且贯穿所述长条孔立式设置,其内部设有转轴,所述转头设置在所述转轴顶部;
电机,其输出端与所述转轴连接,以驱动所述转头沿竖向轴向旋转;
所有所述长条孔的延长端相交于所述固定台的圆心,并沿所述固定台的周缘发散设置。
3.根据权利要求2所述的一种硅片清洗装置,其特征在于,在所述长条孔中沿其长度方向设有轨道,所述支撑柱与所述轨道滑动连接;
所述支撑柱可带动所述转头沿所述轨道往复滑动;
所述固定台与硅片同轴心配置。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种硅片清洗装置,其特征在于,所述喷淋组包括若干对称设置的喷管,所有所述喷管的喷头均朝硅片中心倾斜设置;
硅片的每侧表面设有相对于硅片直径对称设置的所述喷管;
硅片两侧表面的所有所述喷管竖向同位置配置。
5.根据权利要求4所述的一种硅片清洗装置,其特征在于,在所述清洗部二中,硅片的每侧表面还设有用于气体流通的气管;
硅片的每侧表面的所述气管相对于硅片直径对称设置;
硅片两侧表面的所有所述气管竖向同位置配置。
6.根据权利要求1-3、5任一项所述的一种硅片清洗装置,其特征在于,所述刷子分置于硅片两侧表面,其被配置在硅片的单侧半圆中,并可沿硅片的半圆直径方向往复移动;
所述刷子被配置为可旋转圆形结构。
7.一种硅片清洗工艺,其特征在于,采用如权利要求1-6任一项所述的清洗装置,步骤包括:
清洗时,控制硅片单片水平放置并旋转;
在所述清洗部一中对硅片双面边喷药液边用所述刷子刷洗;
在所述清洗部二中对硅片双面药液清洗后再对硅片双面喷气。
8.根据权利要求7所述的一种硅片清洗工艺,其特征在于,在所述清洗部一中,药液清洗完后还包括对硅片双面进行纯水进行清洗,在硅片双侧表面均形成一层水膜;
纯水清洗时所述刷子停止工作;
且纯水清洗时硅片旋转的速度大于药液清洗时硅片旋转的速度。
9.根据权利要求7所述的一种硅片清洗工艺,其特征在于,在所述清洗部二中,所用药液为酸性药液,将硅片双面表面均形成一层氧化膜;
在药液清洗后对硅片双面喷氮气;
喷氮气时硅片旋转的速度大于药液清洗时的硅片旋转的速度。
10.根据权利要求7-9任一项所述的一种硅片清洗工艺,其特征在于,在所述清洗部一中,采用的药液是氨水、双氧水与水的混合液;
在所述清洗部二中,采用的药液是氢氟酸药液和臭氧水药液,且氢氟酸药液和臭氧水药液均独立喷洒。
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