[发明专利]一种半导体干刻设备用石英部件的清洗再生方法

权利要求书

1.一种半导体蚀刻设备用石英部件的清洗再生方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)有机溶剂浸泡

将待清洗部件浸泡在有机溶剂中15～20min，并采用纯水清洗，去除石英窗表面的油渍、污染物，同时疏松软化硅、氮沉积物；

(2)高浓度混酸溶液浸泡

将步骤(1)处理后部件放入盐酸和氢氟酸水溶液中浸泡30-60分钟，溶液最佳温度为20-35℃，然后采用纯水清洗，去除表面大部分沉积物，同时与蚀刻制程中破碎的石英晶粒反应；有该混酸溶液中，盐酸和氢氟酸水溶液的体积百分比分别为：盐酸10％-12％、氢氟酸40％-50％，余量为纯水；

(3)氧化剂溶液浸泡

将步骤(2)处理后石英部件放入20-35℃氨水双氧水溶液中浸泡30-60分钟，软化并去除表面的沉积物，该氨水双氧水溶液的体积百分比分别为：氨水20％-25％、双氧水40％-50％，余量为纯水；

(4)硫酸溶液浸泡，

将步骤(3)处理后石英部件放入体积百分比为25％-35％的硫酸溶液中浸泡30-60分钟，进一步去除表面的沉积物；

(5)低浓度混酸溶液浸泡

将步骤(4)处理后石英窗放入20-35℃低浓度盐酸氟酸水溶液中浸泡25-30分钟，进一步去除表面的沉积物；该低浓度盐酸氟酸水溶液中，硝酸和氟酸水溶液的体积百分比分别为：盐酸4％-5％、氟酸2％-3％，余量为纯水；

(6)超声波清洗

将步骤(5)处理后石英部件放入超声波清洗槽中清洗，超声波强度为6-10w/in²，去除石英部件表面及孔隙内的颗粒物；

(7)无尘干燥

采用无尘烘箱烘干，去除石英部件表面的水分，使其处于完全干燥的状态。

2.根据权利要求1所述的半导体干刻设备用石英部件的清洗再生方法，其特征在于：

其中，步骤(1)中，有机溶剂选自乙醇、异丙醇、丙酮中的任意一种，纯水冲洗时间为1-2分钟。

3.根据权利要求1所述的半导体蚀刻设备用石英部件的清洗再生方法，其特征在于：

其中，步骤(2)中，盐酸浓度为37％，氢氟酸溶液的浓度为49％，纯水为电阻率大于16MΩ的去离子水，纯水冲洗时间为1-2分钟。

4.根据权利要求3所述的半导体蚀刻设备用石英部件的清洗再生方法，其特征在于：

其中，步骤(3)中，氨水浓度为25％，双氧水浓度为30％，纯水为电阻率大于16MΩ的去离子水，纯水冲洗时间为1-2分钟。

5.根据权利要求1所述的半导体干刻设备用石英部件的清洗再生方法，其特征在于：

其中，步骤(4)中，硫酸浓度为50％，纯水为电阻率大于16MΩ的去离子水，纯水冲洗时间为1-2分钟。

6.根据权利要求3所述的半导体蚀刻设备用石英部件的清洗再生方法，其特征在于：

其中，步骤(5)中，盐酸浓度为37％，氟酸溶液的浓度为49％，纯水为电阻率大于16MΩ的去离子水，纯水冲洗时间为1-2分钟。

7.根据权利要求6所述的半导体蚀刻设备用石英部件的清洗再生方法，其特征在于：

其中，步骤(6)中，超声波清洗时，纯水溢流量大于360L/h，纯水电阻率大于16MΩ，超声清洗时间为30-40分钟，纯水冲洗时间为1-2分钟。

8.根据权利要求1所述的半导体蚀刻设备用石英部件的清洗再生方法，其特征在于：

其中，步骤(7)中，恒温干燥温度为150℃，恒温干燥时间为2小时，冷却至室温后取出部件。