[发明专利]一种场效应管制备方法、装置及场效应管

权利要求书

1.一种场效应管制备方法，其特征在于，包括：

构建元胞主体，其中，所述元胞主体设置有漂移区，所述漂移区的两侧间隔设置有Poly层，所述Poly层的高度高于所述漂移区的高度；

在两个所述Poly层之间的所述漂移区的中间区域上淀积第一介质层，并对所述第一介质层进行刻蚀处理，以在两个所述Poly层相对的两侧均形成侧墙；

将第一Al+离子注入处于两个所述侧墙之间的第一沟槽区正对的所述漂移区，以形成第一P+区；

对所述Poly层和所述侧墙进行平整处理，并在平整后的所述Poly层、所述漂移区铺设金属电极，以得到场效应管。

2.根据权利要求1所述的场效应管制备方法，其特征在于，所述Poly层的高度比所述漂移区的中间区域的高度高1μm。

3.根据权利要求1所述的场效应管制备方法，其特征在于，所述侧墙的宽度为0.4-0.5μm。

4.根据权利要求1所述的场效应管制备方法，其特征在于，所述构建元胞主体，包括：

在衬底上铺设漂移区；

在所述漂移区上依次铺设第二介质层、光刻胶，并对所述漂移区两侧区域的所述第二介质层、所述光刻胶进行光刻处理，以形成第二沟槽区；

对位于所述第二沟槽区底部的所述漂移区进行刻蚀处理，以形成刻蚀区，并将第二Al+离子注入所述刻蚀区以形成第二P+区；

在所述第二P+区上铺设栅氧化层，并在所述栅氧化层上铺设所述Poly层；

去除所述漂移区的中间区域的所述第二介质层、所述光刻胶，并在所述漂移区中间区域依次注入第三Al+离子形成P-well区、注入N+离子形成N+区，其中，所述N+区位于所述P-well区的上方。

5.根据权利要求4所述的场效应管制备方法，其特征在于，所述第二Al+离子的注入能量为50-150kev，所述第二Al+离子的注入剂量为5*10¹³-5*10¹⁴cm^-2。

6.根据权利要求4所述的场效应管制备方法，其特征在于，所述第三Al+离子的注入能量为100-400kev，所述第三Al+离子的注入剂量为1*10¹²-2*10¹³cm^-2；所述N+离子的注入能量为50-100kev，所述N+离子的注入剂量为5*10¹³-5*10¹⁴cm^-2。

7.根据权利要求4所述的场效应管制备方法，其特征在于，所述Poly层和所述第二P+区的间距为0.4-0.5μm。

8.根据权利要求1所述的场效应管制备方法，其特征在于，所述第一Al+离子的注入能量为50-200kev，所述第一Al+离子的注入剂量为5*10¹⁴-5*10¹⁵cm^-2。

9.一种场效应管制备装置，其特征在于，所述场效应管制备装置用于实施如权利要求1至8任意一项所述的场效应管制备方法。

10.一种场效应管，其特征在于，所述场效应管通过如权利要求1至8任意一项所述的场效应管制备方法制备得到。