[发明专利]一种全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在透明导电基底上制作电子传输层；

(2)在电子传输层上蒸镀沉积第一PbBr₂薄膜，在80～120℃下进行一次退火，之后蒸镀沉积CsBr薄膜，在250～350℃进行二次退火，最后再蒸镀沉积第二PbBr₂薄膜，在250～350℃进行三次退火，得到CsPbBr₃钙钛矿薄膜；其中，第一PbBr₂薄膜的沉积厚度为80～120nm，CsBr薄膜的沉积厚度为180～220nm，第二PbBr₂薄膜的沉积厚度为130～170nm；

(3)在钙钛矿薄膜上制备顶电极。

2.如权利要求1所述的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，一次退火的时间为30～60min；二次退火的时间为30～60min；三次退火的时间为30～60min。

3.如权利要求1所述的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，蒸镀沉积第一PbBr₂薄膜、第二PbBr₂薄膜的蒸镀材料为PbBr₂粉末，PbBr₂粉末的蒸发速率为蒸镀沉积CsBr薄膜的蒸镀材料为CsBr粉末，CsBr粉末的蒸发速率为

4.如权利要求1～3中任一项所述的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述蒸镀沉积在真空下进行，控制真空度不大于8×10^-4Pa。

5.如权利要求1所述的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述电子传输层为TiO₂电子传输层。

6.如权利要求5所述的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述制作电子传输层包括以下步骤：将透明导电基底置于TiCl₄水溶液中，在70℃处理60min，取出处理后的透明导电基底，再在100℃退火60min。

7.如权利要求1所述的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述透明导电基底为FTO透明导电玻璃。

8.如权利要求1或5或6或7所述的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述顶电极为碳电极。

9.如权利要求8所述的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述制备顶电极包括在CsPbBr₃钙钛矿薄膜上刮涂导电碳浆，然后进行干燥处理。

10.如权利要求9所述的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述干燥处理是在100℃下处理10min。