[发明专利]一种防短路LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202211064708.4 | 申请日： | 2022-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN115458638A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 邱小龙;史洁;罗红波;张会雪;陈景文 | 申请（专利权）人： | 湖北深紫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/44 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 张杰 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 短路 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种防短路LED芯片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，在蓝宝石衬底上依次生长N型半导体层、发光层和P型半导体层；
S2，在所述P型半导体层上依次沉积SiO2薄膜和光刻胶层，所述光刻胶层的垂直投影面积小于所述SiO2薄膜的垂直投影面积；
S3，采用氢氟酸腐蚀处理所述SiO2薄膜，至所述SiO2薄膜的垂直投影面积小于光刻胶层的垂直投影面积；
S4，基于所述光刻胶层的图形，采用ICP刻蚀N型半导体层至P型半导体层，刻蚀后去除光刻胶层；
S5，采用ICP-mesa刻蚀发光层和P型半导体层，刻蚀后去除SiO2薄膜；
S6，在所述P型半导体层上依次沉积ITO薄膜、保护层以及金属电极，制得防短路LED芯片。
2.根据权利要求1所述防短路LED芯片制备方法，其特征在于，所述N型半导体层为N型GaN层，P型半导体层为P型GaN层。
3.根据权利要求1所述防短路LED芯片制备方法，其特征在于，所述S2步骤中，所述SiO2薄膜的厚度为
4.根据权利要求1所述防短路LED芯片制备方法，其特征在于，所述S2步骤中，所述光刻胶层的厚度为
5.根据权利要求1所述防短路LED芯片制备方法，其特征在于，所述S4步骤刻蚀完成后，所述蓝宝石衬底与N型半导体层之间形成第一台阶结构。
6.根据权利要求5所述防短路LED芯片制备方法，其特征在于，所述S5步骤刻蚀完成后，所述N型半导体层与发光层之间形成第二台阶结构。
7.根据权利要求6所述防短路LED芯片制备方法，其特征在于，所述S6步骤中，所述保护层为氧化硅钝化层。
8.根据权利要求6所述防短路LED芯片制备方法，其特征在于，所述保护层覆盖所述第一台阶结构、第二台阶结构以及ITO薄膜。
9.根据权利要求6所述防短路LED芯片制备方法，其特征在于，所述金属电极包括n电极和p电极，所述n电极贯穿所述保护层后与所述n型半导体层连接，所述p电极贯穿所述保护层后与所述ITO薄膜连接。
10.一种防短路LED芯片，其特征在于，所述防短路LED芯片由权利要求1～9中任一所述防短路LED芯片制备方法制备得到。
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