[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本申请涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。该制备方法包括：在衬底基板上依次形成第一金属层、栅绝缘层、半导体层及第二金属层；在第二金属层上涂布光阻层，采用半色调掩膜板对光阻层曝光显影，形成光阻图案；以光阻图案为遮挡对第二金属层进行第一次湿法刻蚀，以形成数据线和与数据线连接的源漏极；通过灰化工艺去除第一部分曝光区域和第二部分曝光区域的光阻，以减薄光阻图案，使剩余的未曝光区域的边缘与第二金属层的边缘对齐；对半导体层进行干法刻蚀，使得数据线在衬底基板上的正投影与对应的半导体层在衬底基板上的正投影基本重合。本申请可以减小数据线对应的半导体层的宽度余量，进而减小其与像素电极或者栅极之间的寄生电容。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

为了减少光罩制程，阵列基板大多采用4道光罩工艺制备，即将半导体层与源漏极及数据线所在的金属层同时制作，以降低成本、缩短工艺时间、增加产能。

但是，数据线对应的半导体层的宽度越大，其与像素电极或者栅极越近，导致寄生电容越强，在点灯时易出现串扰和亮暗线等诸多品味性不良。如果不改变数据线对应的半导体层的宽度，将数据线远离像素电极或者栅极设计，将会影响开口率。

发明内容

本申请旨在提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其可以减小数据线对应的半导体层的宽度余量，进而在不影响开口率的前提下减小其与像素电极或者栅极之间的寄生电容。

第一方面，本申请实施例提出了一种阵列基板的制备方法，包括在衬底基板上依次形成第一金属层、栅绝缘层、半导体层及第二金属层；还包括：在第二金属层上涂布光阻层，采用半色调掩膜板对光阻层曝光显影，形成光阻图案，光阻图案包括在待形成的源极、漏极和数据线位置分别形成的未曝光区域、在沟道位置形成的第一部分曝光区域、在数据线的宽度方向两侧形成第二部分曝光区域以及在其余位置形成完全曝光区域；以光阻图案为遮挡对第二金属层进行第一次湿法刻蚀，以形成数据线和与数据线连接的金属电极；通过灰化工艺去除第一部分曝光区域和第二部分曝光区域的光阻，以减薄光阻图案，使剩余的未曝光区域的边缘与第一次湿法刻蚀后的第二金属层的边缘对齐；对半导体层进行干法刻蚀，使得数据线和金属电极在衬底基板上的正投影与各自对应的半导体层在衬底基板上的正投影基本重合；以减薄的光阻图案为遮挡，对金属电极进行第二次湿法刻蚀，形成源极、漏极；以减薄的光阻图案为遮挡，对半导体层进行干法刻蚀，以暴露出沟道区；剥离掉减薄的光阻图案。

在一种可能的实施方式中，第二部分曝光区域的光阻宽度与数据线的宽度的比值为1：10。

在一种可能的实施方式中，第二部分曝光区域的光阻的厚度沿远离数据线对应的未曝光区域的方向逐渐减薄。

在一种可能的实施方式中，第一部分曝光区域的光阻厚度与第二部分曝光区域的平均光阻厚度相等。

在一种可能的实施方式中，半导体层包括有源层和沉积于有源层上的欧姆接触层，剥离掉减薄的光阻图案之前，制备方法还包括：以减薄的光阻图案为遮挡，对欧姆接触层进行干法刻蚀，以暴露出沟道区。

在一种可能的实施方式中，阵列基板的制备方法还包括：采用第一次湿法刻蚀工艺对完全曝光区域进行刻蚀，将完全曝光区域的金属层刻蚀掉；对完全曝光区域的欧姆接触层采用干法刻蚀工艺进行刻蚀，以形成数据线、源电极及漏电极。

在一种可能的实施方式中，阵列基板的制备方法还包括：在完全曝光区域内沉积一层钝化层，通过干法刻蚀在钝化层上制作出过孔；在钝化层上沉积一层导电薄膜，通过干法刻蚀使导电薄膜形成像素电极，像素电极通过过孔与漏极电性连接；剥离剩余的光阻。

在一种可能的实施方式中，干法刻蚀采用氧气、氯气和氟化气中的任一者进行刻蚀。