[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，包括在衬底基板上依次形成第一金属层、栅绝缘层、半导体层及第二金属层，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述第二金属层上涂布光阻层，采用半色调掩膜板对所述光阻层曝光显影，形成光阻图案，所述光阻图案包括在待形成的源极、漏极和数据线位置分别形成的未曝光区域、在沟道位置形成的第一部分曝光区域、在数据线的宽度方向两侧形成第二部分曝光区域以及在其余位置形成完全曝光区域；

以所述光阻图案为遮挡对所述第二金属层进行第一次湿法刻蚀，以形成数据线和与所述数据线连接的金属电极；

通过灰化工艺去除所述第一部分曝光区域和所述第二部分曝光区域的光阻，以减薄所述光阻图案，使剩余的所述未曝光区域的边缘与第一次湿法刻蚀后的所述第二金属层的边缘对齐；

对所述半导体层进行干法刻蚀，使得所述数据线和所述金属电极在衬底基板上的正投影与各自对应的所述半导体层在衬底基板上的正投影基本重合；

以减薄的所述光阻图案为遮挡，对所述金属电极进行第二次湿法刻蚀，以分别形成源极和漏极；

剥离掉所述减薄的光阻图案。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二部分曝光区域的光阻宽度与所述数据线的宽度的比值为1：10。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第二部分曝光区域的光阻的厚度沿远离所述数据线对应的所述未曝光区域的方向逐渐减薄。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一部分曝光区域的光阻厚度与所述第二部分曝光区域的平均光阻厚度相等。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体层包括有源层和沉积于所述有源层上的欧姆接触层，所述剥离掉所述减薄的光阻图案之前，还包括：

以所述减薄的光阻图案为遮挡，对所述欧姆接触层进行干法刻蚀，以暴露出沟道区。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，还包括：

采用第一次湿法刻蚀工艺对所述完全曝光区域进行刻蚀，将所述完全曝光区域的金属层刻蚀掉；

对所述完全曝光区域的欧姆接触层采用干法刻蚀工艺进行刻蚀，以形成数据线、源电极及漏电极。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述完全曝光区域内沉积一层钝化层，通过干法刻蚀在所述钝化层上制作出过孔；

在所述钝化层上沉积一层导电薄膜，通过干法刻蚀使所述导电薄膜形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电性连接；

剥离剩余的光阻。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用氧气、氯气和氟化气中的任一者进行刻蚀。

9.一种阵列基板，包括：在衬底基板上依次形成第一金属层、栅绝缘层、半导体层及第二金属层，所述第二金属层包括数据线、源极和漏极，其特征在于，所述数据线在所述衬底基板上的正投影与所述半导体层在所述衬底基板上的正投影基本重合。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板，采用如权利要求1至8任一项所述的阵列基板的制备方法制备而成；

彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；以及

液晶层，设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。