[发明专利]显示基板、显示装置及显示基板的制备方法在审
申请号: | 202210980600.3 | 申请日: | 2022-08-16 |
公开(公告)号: | CN115528046A | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 曾朝军;何宝生;王小龙;王明慧;刘全 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 制备 方法 | ||
本公开提供一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法,属于显示技术领域,其可解决现有的显示基板中相邻的金属走线之间发生短路的问题。本公开的显示基板,具有显示区及围绕显示区的周边区,其中,显示基板包括:基底、位于基底上且沿着背离基底方向依次设置的第一导电层和第二导电层、及位于第一导电层和第二导电层之间的第一有机绝缘层;第一导电层包括:沿第一方向延伸的多条第一金属走线;第二导电层包括:沿第一方向延伸的多条第二金属走线;在周边区,第一有机绝缘层断开设置,其边缘沿第二方向延伸并形成第一台阶;第二方向与第一方向相交;第一台阶包括:位于相邻的第二金属走线之间的至少一个凸起结构和至少一个凹陷结构。
技术领域
本公开属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示基板在制备过程中,需要采用多层有机绝缘层来对其中的结构进行平坦化处理。由于有机绝缘层的厚度较厚,并且在OLED显示基板的周边区中绑定及弯折的结构需要,在OLED显示基板的边缘会出现多层有机绝缘层堆叠,形成较厚的台阶。
在台阶的底部,容易出现曝光不足的现象,导致在有机绝缘层上形成金属走线时,相邻的金属走线之间的金属容易残留,使得相邻的金属走线之间发生短路,造成电路结构损坏,从而影响OLED基板的显示效果。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法。
第一方面,本公开实施例提供了一种显示基板,具有显示区及围绕所述显示区的周边区,其中,所述显示基板包括:基底、位于所述基底上且沿着背离所述基底方向依次设置的第一导电层和第二导电层、及位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一有机绝缘层;所述第一导电层包括:沿第一方向延伸的多条第一金属走线;第二导电层包括:沿第一方向延伸的多条第二金属走线;
在所述周边区,所述第一有机绝缘层断开设置,其边缘沿第二方向延伸并形成第一台阶;所述第二方向与所述第一方向相交;
所述第一台阶包括:位于相邻的所述第二金属走线之间的至少一个凸起结构和至少一个凹陷结构。
可选地,所述第二金属走线与所述第一金属走线在所述第一台阶处电连接。
可选地,所述显示基板还包括:位于所述第二导电层背离所述基底一侧的第三导电层、及位于所述第二导电层和所述第三导电层之间的第二有机绝缘层;所述第三导电层包括:沿第一方向延伸的多条第三金属走线;
在所述周边区,所述第二有机绝缘层断开设置,其边缘沿第二方向延伸并形成第二台阶;
所述第二台阶包括:位于相邻的所述第三金属走线之间的至少一个凸起结构和至少一个凹陷结构。
可选地,所述第三金属走线与所述第二金属走线在所述第二台阶处电连接。
可选地,所述第二台阶在所述基底上的正投影与所述第一台阶在所述基底上的正投影相重合。
可选地,所述显示基板还包括:位于所述第一导电层与所述基底之间且与所述第一导电层绝缘设置的第四导电层;所述第四导电层包括:沿第二方向延伸的多条第四金属走线;
在所述周边区,所述第一有机绝缘层断开设置,其边缘沿第一方向延伸并形成第三台阶;
所述第三台阶包括:位于相邻的所述第四金属走线之间的至少一个凸起结构和至少一个凹陷结构。
可选地,所述第一有机绝缘层在所述第三台阶处形成第一水氧阻挡槽。
可选地,在所述周边区,所述第二有机绝缘层断开设置,其边缘沿第一方向延伸并形成第四台阶;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的