[发明专利]显示基板、显示装置及显示基板的制备方法在审
申请号: | 202210980600.3 | 申请日: | 2022-08-16 |
公开(公告)号: | CN115528046A | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 曾朝军;何宝生;王小龙;王明慧;刘全 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 制备 方法 | ||
1.一种显示基板,具有显示区及围绕所述显示区的周边区,其中,所述显示基板包括:基底、位于所述基底上且沿着背离所述基底方向依次设置的第一导电层和第二导电层、及位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一有机绝缘层;所述第一导电层包括:沿第一方向延伸的多条第一金属走线;第二导电层包括:沿第一方向延伸的多条第二金属走线;
在所述周边区,所述第一有机绝缘层断开设置,其边缘沿第二方向延伸并形成第一台阶;所述第二方向与所述第一方向相交;
所述第一台阶包括:位于相邻的所述第二金属走线之间的至少一个凸起结构和至少一个凹陷结构。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第二金属走线与所述第一金属走线在所述第一台阶处电连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:位于所述第二导电层背离所述基底一侧的第三导电层、及位于所述第二导电层和所述第三导电层之间的第二有机绝缘层;所述第三导电层包括:沿第一方向延伸的多条第三金属走线;
在所述周边区,所述第二有机绝缘层断开设置,其边缘沿第二方向延伸并形成第二台阶;
所述第二台阶包括:位于相邻的所述第三金属走线之间的至少一个凸起结构和至少一个凹陷结构。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述第三金属走线与所述第二金属走线在所述第二台阶处电连接。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其中,所述第二台阶在所述基底上的正投影与所述第一台阶在所述基底上的正投影相重合。
6.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:位于所述第一导电层与所述基底之间且与所述第一导电层绝缘设置的第四导电层;所述第四导电层包括:沿第二方向延伸的多条第四金属走线;
在所述周边区,所述第一有机绝缘层断开设置,其边缘沿第一方向延伸并形成第三台阶;
所述第三台阶包括:位于相邻的所述第四金属走线之间的至少一个凸起结构和至少一个凹陷结构。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其中,所述第一有机绝缘层在所述第三台阶处形成第一水氧阻挡槽。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其中,在所述周边区,所述第二有机绝缘层断开设置,其边缘沿第一方向延伸并形成第四台阶;
所述第四台阶包括:位于相邻的所述第四金属走线之间的至少一个凸起结构和至少一个凹陷结构。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其中,所述第二有机绝缘层在所述第四台阶处形成第二水氧阻挡槽。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其中,所述第四台阶在所述基底上的正投影与所述第三台阶在所述基底上的正投影相重合。
11.根据权利要求10所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:位于所述第三导电层背离所述基底一侧的第三有机绝缘层;
所述第三有机绝缘层覆盖所述第一台阶和所述第二台阶,且在所述第一水氧阻挡槽和所述第二水氧阻挡槽处断开设置。
12.根据权利要求1、3、6、8任一项所述的显示基板,其中,所述凹槽结构的形状为半圆形、三角形、方形中的至少一种。
13.一种显示装置,其中,所述显示装置包括如权利要求1至12任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的