[发明专利]TSV产品封装方法

说明书

本发明公开了TSV产品封装方法，涉及基板产品封装设计技术领域，可以提供一种增加芯片容量的方法，实现在有限空间内堆叠更多的芯片。包括：在第一基板上根据设定位置粘贴第一TSV芯片和第二TSV芯片，所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片之间留有间隙；在转接基板上设置根据设定位置粘贴第一FC芯片，通过切割得到只包括第一FC芯片的转接基板；将所述转接基板设置在所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片的上层，所述第一FC芯片位于所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片之间，且所述第一FC芯片的上表面与所述第一基板的上表面相对；在所述转接基板上依次设置第二FC芯片，第三FC芯片和第四FC芯片。

技术领域

本发明属于转接基板的TSV封装设计技术领域，更具体的涉及TSV产品封装方法。

背景技术

Memory产品成品芯片的厚度和尺寸越来越小，在基本设计过程中，若芯片的容量要大，在有限的空间内要堆叠越来越多的芯片，因此，除了减薄芯片的厚度之外，还可以考虑增加芯片空间利用率。

发明内容

本发明实施例提供TSV产品封装方法，可以提供一种增加芯片容量的方法，实现在有限空间内堆叠更多的芯片。

本发明实施例提供TSV产品封装方法，包括：

在第一基板上根据设定位置粘贴第一TSV芯片和第二TSV芯片，所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片之间留有间隙；

在转接基板上设置根据设定位置粘贴第一FC芯片，通过切割得到只包括第一FC芯片的转接基板；

将所述转接基板设置在所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片的上层，所述第一FC芯片位于所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片之间，且所述第一FC芯片的上表面与所述第一基板的上表面相对；

在所述转接基板上依次设置第二FC芯片，第三FC芯片和第四FC芯片。

优选地，所述第一FC芯片位于所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片之间，且所述第一FC芯片的两侧与所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片均不接触。

优选地，所述第三FC芯片位于所述第二FC芯片和所述第四FC芯片之间，且所述第三FC芯片的两侧与所述第二FC芯片和所述第四FC芯片均不接触。

优选地，所述第一FC芯片和所述第三FC芯片的长度、宽度和厚度一致。

优选地，所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片的长度、宽度和厚度一致；和/或者

所述第二FC芯片和所述第四FC芯片的长度、宽度和厚度一致。

优选地，所述将所述转接基板设置在所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片的上层，具体包括：

将所述转接基板通过倒装工艺设置在所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片的上层。

本发明实施例提供TSV产品封装方法，其特征在于，包括：在第一基板上根据设定位置粘贴第一TSV芯片和第二TSV芯片，所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片之间留有间隙；在转接基板上设置根据设定位置粘贴第一FC芯片，通过切割得到只包括第一FC芯片的转接基板；将所述转接基板设置在所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片的上层，所述第一FC芯片位于所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片之间，且所述第一FC芯片的上表面与所述第一基板的上表面相对；在所述转接板上依次设置第二FC芯片，第三FC芯片和第四FC芯片。该方法通过在第一基板上设置TSV芯片，并在TSV芯片上设置粘贴有第一FC芯片的转接基板，然后在转接基板上依次设置三个FC芯片，实现了将不同尺寸的芯片堆叠在一起，增大了一个基板上芯片的空间利用率，解决了在有限空间内堆叠大量芯片以及增加芯片空间利用率的问题。

附图说明