[发明专利]互连结构

说明书

本公开提供一种互连结构。在一些实施例中，上述结构包括：第一介电层；一或多个第一导电部件，设置在第一介电层中，其中一或多个第一导电部件包括第一金属；以及多个石墨烯层，设置在每个所述第一导电部件上，其中石墨烯层包括插入其中的第二金属，且第二金属不同于第一金属。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置，尤其涉及具有互连结构的半导体装置。

背景技术

随着半导体工业导入具有更高性能和更多功能的新一代集成电路(integratedcircuits,IC)，增加用于形成IC的元件密度，而减少部件或元件之间的尺寸、大小和间距。过往中，这种减少仅受到光刻定义结构的能力的限制，具有较小尺寸的装置几何形状产生了新的限制因素。举例来说，随着后段(back-end-of-line,BEOL)互连结构中介电材料中的导电部件的深宽比(aspect ratio)变高，电阻率会增加。因此，需要针对互连结构进行改良以符合需求。

发明内容

本发明实施例提供一种互连结构，包括：第一介电层；一或多个第一导电部件，设置在第一介电层中，其中一或多个第一导电部件包括第一金属；以及多个石墨烯层，设置在每个所述第一导电部件上，其中石墨烯层包括插入其中的第二金属，且第二金属不同于第一金属。

本发明实施例提供一种互连结构，包括：第一介电层；一或多个第一导电部件，设置在第一介电层中；以及含碳层，设置在每个所述第一导电部件和第一介电层之间，其中含碳层包括倾斜部分和连接到倾斜部分的水平部分，其中倾斜部分的顶部具有第一厚度，倾斜部分的底部具有第二厚度，其中水平部分具有第三厚度，并且其中第一厚度实质上大于第二厚度，第二厚度实质上大于第三厚度。

本发明实施例提供一种互连结构的形成方法，包括：在第一介电层中形成一或多个第一导电部件；在每个所述第一导电部件上形成第一金属层；在第一金属层和每个所述第一导电部件之间形成含碳层；在含碳层上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上形成第二介电层；以及在第二介电层中形成第二导电部件。

附图说明

以下将配合所附附图详述本发明实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可任意地放大或缩小单元的尺寸，以清楚地表现出本发明实施例的特征。

图1A根据本公开的一些实施例，示出制造半导体装置在各个阶段之一的透视图。

图1B根据本公开的一些实施例，示出制造图1A的半导体装置结构的阶段沿着线A-A的剖面侧视图。

图2根据本公开的一些实施例，示出半导体装置结构在制造阶段的剖面侧视图。

图3A、图3B、图3C、图3D、和图3E根据本公开的一些实施例，示出互连结构在各个制造阶段的剖面侧视图。

图4A和图4B根据本公开的一些实施例，示出互连结构在各个制造阶段之一的剖面侧视图。

图5A、图5B、和图5C根据本公开的一些实施例，示出互连结构在各个制造阶段的剖面侧视图。

图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、和图6F根据本公开的一些实施例，示出互连结构在各个制造阶段的剖面侧视图。

图7根据本公开的一些实施例，示出互连结构在各个制造阶段之一的剖面侧视图。

附图标记如下：

100:装置结构

102:基板

108:通道区

114:隔离区

200:装置

122:栅极间隔物

123:侧壁间隔物