[发明专利]一种微型倒装芯片的转移方法

说明书

本发明提供一种微型倒装芯片的转移方法，包括：提供驱动基板和临时基板，临时基板的一侧表面粘接有若干微型倒装芯片；在微型倒装芯片的第二电连接件背离临时基板的一侧表面形成第一键合件，第一键合件的材料为导电胶；将若干微型倒装芯片转移至驱动基板上，且第一键合件连接微型倒装芯片的第二电连接件与驱动基板的第一电连接件；对若干微型倒装芯片进行检测，确定不良芯片在驱动基板上的坏点位置；激光照射位于坏点位置的第一键合件，移除不良芯片。上述方法不仅能够保证微型倒装芯片与驱动基板的稳定键合，还能在避免第一电连接件受到激光辐照的损伤，使原键合焊点可继续使用，且具有较高的不良芯片去除效率。

技术领域

本发明涉及芯片组装技术领域，具体涉及一种微型倒装芯片的转移方法。

背景技术

Micro-LED显示技术是指以自发光的Micro-LED为发光像素单元，将其组装到驱动基板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于Micro-LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点，与LCD、OLED相比，Micro-LED芯片在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势，被认为是最具有前途的新型显示与发光器件之一。当前产业界普遍预期Micro-LED显示技术能够替代现有OLED与液晶显示技术的一个重要切入点是面向于中低分辨率(PPI)显示场景应用的显示产品，如小尺寸可穿戴设备、电视显示与超大显示墙等。对于中低PPI显示产品，在完成Micro-LED芯片晶圆与驱动基板制造之后，需要通过巨量转移技术把数百万甚至数千万颗Micro-LED芯片移动到驱动基板上，使驱动基板上的第一电连接件与Micro-LED芯片上的第二电连接件电学连接。

转移良率为巨量转移过程中存在的主要技术难点之一。即使综合转移良率高为99.99％，转移一台8K电视仍需要修复50余万颗的不良芯片，且不良芯片多呈随机分布。选择性激光修复技术为多种Micro-LED坏点修复技术中最具潜力实现量产的技术，该技术通过激光振镜高速扫描并搭配位移平台精密控制，可实现大量随机不良芯片的高效去除。

然而，选择性激光修复技术所发射的激光容易对驱动基板上的第一电连接件造成不可逆破坏，使其无法用于连接替换芯片，进而导致原键合位置无法重复使用。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有选择性激光修复技术不良芯片去除后原键合位置无法重复使用的缺陷，从而提供一种微型倒装芯片的转移方法。

本发明提供一种微型倒装芯片的转移方法，包括：提供驱动基板，所述驱动基板的一侧表面形成有第一电连接件；提供临时基板，所述临时基板的一侧表面粘接有若干微型倒装芯片，所述微型倒装芯片背离所述临时基板的一侧表面形成有第二电连接件；在所述微型倒装芯片的第二电连接件背离所述临时基板的一侧表面形成第一键合件，所述第一键合件的材料为导电胶；将若干所述微型倒装芯片转移至所述驱动基板上，且所述第一键合件连接所述微型倒装芯片的第二电连接件与所述第一电连接件；对若干所述微型倒装芯片进行检测，确定不良芯片在所述驱动基板上的坏点位置；激光照射位于所述坏点位置的所述第一键合件，移除所述不良芯片。

可选的，在所述微型倒装芯片的第二电连接件背离所述临时基板的一侧表面形成第一键合件的步骤包括：在所述微型倒装芯片的第二电连接件背离所述临时基板的一侧表面涂覆导电胶；或者，将所述微型倒装芯片的第二电连接件背离所述临时基板的一侧表面浸渍至导电胶液中；将所述微型倒装芯片从所述导电胶液中移出，所述微型倒装芯片的第二电连接件的一侧表面包覆有导电胶。

可选的，所述第一键合件的厚度为2μm～10μm。

可选的，所述微型倒装芯片的转移方法还包括：提供替换芯片，所述替换芯片的一侧表面形成有所述第二电连接件；在所述替换芯片的第二电连接件的一侧表面形成第二键合件，所述第二键合件的材料为导电胶；在移除所述不良芯片之后，将所述替换芯片转移至所述坏点位置，所述第二键合件连接所述替换芯片的第二电连接件与位于所述坏点位置的第一电连接件。