[发明专利]一种微型倒装芯片的转移方法

权利要求书

1.一种微型倒装芯片的转移方法，其特征在于，包括：

提供驱动基板，所述驱动基板的一侧表面形成有第一电连接件，所述第一电连接件包括：阵列排布的接触电极，所述接触电极位于所述驱动基板的一侧表面；位于所述接触电极背离驱动基板的一侧表面的第一凸点；

提供临时基板，所述临时基板的一侧表面粘接有若干微型倒装芯片，所述微型倒装芯片背离所述临时基板的一侧表面形成有第二电连接件；

在所述微型倒装芯片的第二电连接件背离所述临时基板的一侧表面形成第一键合件，所述第一键合件的材料为导电胶；在所述微型倒装芯片的第二电连接件背离所述临时基板的一侧表面形成第一键合件的步骤包括：将所述微型倒装芯片的第二电连接件背离所述临时基板的一侧表面浸渍至导电胶液中；将所述微型倒装芯片从所述导电胶液中移出，所述微型倒装芯片的第二电连接件的一侧表面包覆有导电胶；

将若干所述微型倒装芯片转移至所述驱动基板上，且所述第一键合件连接所述微型倒装芯片的第二电连接件与所述第一电连接件；

对若干所述微型倒装芯片进行检测，确定不良芯片在所述驱动基板上的坏点位置；

激光照射位于所述坏点位置的所述第一键合件，移除所述不良芯片。

2.根据权利要求1所述的微型倒装芯片的转移方法，其特征在于，所述第一键合件的厚度为2μm～10μm。

3.根据权利要求1-2任一项所述的微型倒装芯片的转移方法，其特征在于，还包括：

提供替换芯片，所述替换芯片的一侧表面形成有所述第二电连接件；

在所述替换芯片的第二电连接件的一侧表面形成第二键合件，所述第二键合件的材料为导电胶；

在移除所述不良芯片之后，将所述替换芯片转移至所述坏点位置，所述第二键合件连接所述替换芯片的第二电连接件与位于所述坏点位置的第一电连接件。

4.根据权利要求3所述的微型倒装芯片的转移方法，其特征在于，在所述替换芯片的第二电连接件的一侧表面形成所述第二键合件的步骤包括：在所述替换芯片的第二电连接件的一侧表面涂覆导电胶；

或者，将所述替换芯片的第二电连接件的一侧表面浸渍至导电胶液中；将所述替换芯片从所述导电胶液中移出，所述替换芯片的第二电连接件的一侧表面包覆有导电胶。

5.根据权利要求3所述的微型倒装芯片的转移方法，其特征在于，将所述替换芯片转移至所述坏点位置的工艺包括激光转移工艺、弹性印章转移工艺。

6.根据权利要求3所述的微型倒装芯片的转移方法，其特征在于，所述第二键合件的厚度为2μm～10μm。

7.根据权利要求3所述的微型倒装芯片的转移方法，其特征在于，所述导电胶包括有机胶液和均匀分散在所述有机胶液中的微纳级的导电颗粒，所述导电胶内导电颗粒的体积分数为10％～40％。

8.根据权利要求3所述的微型倒装芯片的转移方法，其特征在于，所述导电胶包括各向同性导电胶。

9.根据权利要求7所述的微型倒装芯片的转移方法，其特征在于，所述导电颗粒包括金属颗粒或复合金属颗粒，所述复合金属颗粒包括颗粒主体以及包裹所述颗粒主体的金属层。

10.根据权利要求9所述的微型倒装芯片的转移方法，其特征在于，所述金属颗粒的材料包括银、镍、铜，所述金属层的材料包括银，所述颗粒主体的材料包括镍、铜、碳纳米管中的至少一种。

11.根据权利要求7所述的微型倒装芯片的转移方法，其特征在于，所述导电颗粒呈片状，所述导电颗粒的纵向尺寸小于所述导电颗粒的横向尺寸，所述横向尺寸为1μm～20μm。

12.根据权利要求7所述的微型倒装芯片的转移方法，其特征在于，所述有机胶液的材料为热固性材料或热塑性材料。