[发明专利]一种上电极组件及半导体处理设备在审
| 申请号: | 202210914549.6 | 申请日: | 2022-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN115312368A | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
| 发明(设计)人: | 郭春 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司: | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人: | 帅进军 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电极 组件 半导体 处理 设备 | ||
本申请公开了一种上电极组件及半导体处理设备,上电极组件应用于工艺腔室,工艺腔室包括腔室本体和腔室盖板,上电极组件包括:支架设置于腔室盖板的顶面;连接筒贯穿腔室盖板并通过波纹管与腔室盖板连接;匀气盘设置在腔室本体内部且与连接筒连接;调平结构连接于连接筒的一端;升降驱动结构连接在支架与调平结构之间,用于通过调平结构带动连接筒和匀气盘升降,调平结构、连接筒和匀气盘与升降驱动结构同轴设置。本申请升降驱动结构的驱动力与被驱动部件的重力基本位于同一竖直线上,匀气盘上下运动时与下电极的平行度基本不受影响,可以提高边缘刻蚀的均匀性。
技术领域
本申请涉及半导体制造设备技术领域,具体涉及一种上电极组件及半导体处理设备。
背景技术
晶圆在沉积和刻蚀的过程中,其边缘会残留不同组分的聚合物,这些聚合物会导致晶圆的后续加工中产生缺陷,尤其是晶圆的边缘部分,目前主要是通过边缘刻蚀机来清除上述聚合物,具体是通过上电极和下电极对工艺气体放电形成等离子体,采用等离子体对晶圆进行刻蚀。
在工艺过程中,上电极需要经常进行上下运动,向上运动以便取放晶圆,在晶圆放置好后向下运动以对晶圆进行刻蚀。请参阅图1,图1为相关技术中一种边缘刻蚀机的工艺腔室的俯视结构示意图。其包括左支座1、右支座2、设置于右支座2上的升降驱动结构3以及设置于左支座1和右支座2上的四个导向结构4。通过升降驱动结构3的驱动,带动上电极沿导向结构4做上下运动。
由于升降驱动结构3的驱动力位于工艺腔室整体结构的一侧,而四个导向结构4的整体导向的重心位于中心轴线,这样驱动力相对于重心会产生额外的力矩,导致上电极倾斜而与下电极不平行,最终影响边缘刻蚀的均匀性。
发明内容
针对上述技术问题,本申请提供一种上电极组件及半导体处理设备,可以改善相关技术中升降驱动结构产生的额外力矩导致上电极倾斜而与下电极不平行最终影响边缘刻蚀均匀性的问题。
为解决上述技术问题,第一方面,本申请实施例提供一种上电极组件,应用于半导体处理设备的工艺腔室,其中,所述工艺腔室包括腔室本体和盖设于所述腔室本体上的腔室盖板,所述上电极组件包括:
支架,设置于所述腔室盖板的顶面;
连接筒,贯穿所述腔室盖板设置,并与所述腔室盖板可活动连接;
匀气盘,设置于所述腔室本体内部且与所述连接筒连接;
调平结构,连接于所述连接筒位于所述腔室本体外的一端;
升降驱动结构,连接在所述支架与所述调平结构之间,用于通过所述调平结构带动所述连接筒和所述匀气盘升降;其中,所述调平结构、所述连接筒和所述匀气盘与所述升降驱动结构同轴设置。
可选的,所述调平结构包括:
承拉关节座;
移动平板,与所述升降驱动结构连接,并且所述移动平板的底面与所述承拉关节座的一端固定连接;
水平调节板,位于所述移动平板的下方,并且与所述移动平板之间设有间隙,所述水平调节板可万向转动地与所述承拉关节座的另一端连接,并且所述水平调节板的底面与所述连接筒连接;
间隙调整件,连接在所述移动平板与所述水平调节板之间,用于调整所述移动平板与所述水平调节板之间的间隙。
可选的,所述间隙调整件包括至少三个不共线设置的压电传感器;
所述压电传感器设置在所述水平调节板的顶面,并且与所述移动平板抵底连接,或所述压电传感器设置在所述移动平板的底面,并且与所述水平调节板抵顶连接。
可选的,所述承拉关节座包括相互连接的固定连接部和活动连接部;
所述移动平板的底面与所述固定连接部连接,所述水平调节板与所述活动连接部连接;
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