[发明专利]非易失性存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

多条字线，沿竖直方向堆叠在衬底上；

多条串选择线，在所述多条字线上，所述多条串选择线在第一水平方向上彼此间隔开并且在第二水平方向上延伸，所述第一水平方向和所述第二水平方向平行于所述衬底的表面，并且所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向；以及

存储单元阵列，包括多个存储块，每个存储块包括与所述多条字线和所述多条串选择线连接的多个存储单元，

其中，所述多条串选择线包括第一串选择线和比所述第一串选择线更远离字线切割区的第二串选择线，并且

其中，在对与所选字线和所述第一串选择线连接的第一存储单元的编程操作之前，执行对与所选字线和所述第二串选择线连接的第二存储单元的编程操作。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，与所选字线连接的多个存储单元的编程顺序与所述多条串选择线的物理布置顺序不同。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，与所述第一存储单元相对应的沟道结构的沟道孔尺寸基本上等于与所述第二存储单元相对应的沟道结构的沟道孔尺寸。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第二存储单元的编程速度低于所述第一存储单元的编程速度。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：在所述多条串选择线上的多条位线，所述多条位线在所述第二水平方向上彼此间隔开并在所述第一水平方向上延伸，

其中，所述第二存储单元分别与所述多条位线连接，并且

其中，对所述第二存储单元的编程操作是同时执行的。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多条字线包括第一字线和比所述第一字线更远离所述衬底的第二字线，并且

其中，在对与所述第一字线和所述第二字线连接的存储单元的编程操作期间，顺序地对与所述第二字线和所述第二串选择线连接的存储单元、与所述第二字线和所述第一串选择线连接的存储单元、与所述第一字线和所述第二串选择线连接的存储单元、以及与所述第一字线和所述第一串选择线连接的存储单元执行所述编程操作。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多条字线包括第一字线和比所述第一字线更远离所述衬底的第二字线，并且

其中，在对与所述第一字线和所述第二字线连接的存储单元的编程操作期间，顺序地对与所述第一字线和所述第二串选择线连接的存储单元、与所述第一字线和所述第一串选择线连接的存储单元、与所述第二字线和所述第二串选择线连接的存储单元、以及与所述第二字线和所述第一串选择线连接的存储单元执行所述编程操作。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多条串选择线包括：

在所述第一水平方向上在第一字线切割区和第二字线切割区之间延伸的所述第一串选择线、所述第二串选择线和第三串选择线；以及

在所述第一水平方向上在所述第二字线切割区和第三字线切割区之间延伸的第四串选择线、第五串选择线和第六串选择线，并且

其中，在对与所述第一串选择线、所述第三串选择线、所述第四串选择线和所述第六串选择线连接的存储单元的编程操作之前，执行对与所述第二串选择线和所述第五串选择线连接的存储单元的编程操作。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器件，其中，在对与所述第三串选择线和所述第六串选择线连接的存储单元的编程操作之前，执行对与所述第一串选择线和所述第四串选择线连接的存储单元执行的编程操作。

10.根据权利要求8所述的非易失性存储器件，其中，在对与所选字线和所述第五串选择线连接的存储单元的编程操作之前，执行对与所选字线和所述第二串选择线连接的第二存储单元的编程操作。