[发明专利]一种太阳能电池及其制备工艺、光伏组件在审
申请号: | 202210899931.4 | 申请日: | 2022-07-28 |
公开(公告)号: | CN115172528A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 王正华;曾庆云;王振刚;李征林 | 申请(专利权)人: | 安徽晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/306;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/068 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 马立峰 |
地址: | 231600 安徽省合肥市肥东县合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 工艺 组件 | ||
本申请涉及一种太阳能电池及其制备工艺、光伏组件,包括:提供半导体衬底;对半导体衬底进行制绒处理形成预偏光结构;对制绒后的半导体衬底进行硼扩散形成硼扩散层,对硼扩散层进行一次酸洗、水洗和一次烘干处理;对半导体衬底背面进行水洗、碱抛光、水洗、后清洗、二次酸洗、水洗、慢提和二次烘干处理,使得预偏光结构转变为偏光结构,碱抛光的抛光处理剂包括碱溶液、表面活性剂和脱泡剂;半导体衬底的表面积与偏光结构在半导体衬底表面的投影面积之比为(1.0~1.4):1;对二次烘干处理的半导体衬底背面形成隧穿层和掺杂导电层;对一次烘干处理后的半导体衬底正面形成正面钝化层和正面电极;以及在掺杂导电层的表面形成背面钝化层和背面电极。
【技术领域】
本发明涉及太阳能电池加工技术领域,尤其涉及一种太阳能电池制备工艺的监控方法。
【背景技术】
近年来,全世界有关环境和能源问题的社会意识加强。特别是,已预见到因大气CO2增加的所谓温室效应造成的地球变暖会引起严重的问题。鉴于此,由于太阳能电池发电系统是利用在世界上任何地方都可均匀地接收的日光产生电力的清洁的发电系统,并且作为发电源,太阳能电池发电系统可获得较高的发电效率而不必使用复杂的大装置,此外太阳能电池发电系统有望在将来满足电力需要要求的增长而不引起环境被破坏,因而公众的注意力已集中到太阳能电池发电系统上,太阳能发电系统的核心部件为太阳能电池。
在太阳能电池的制备工艺中,通常需要对半导体衬底进行清洗、制绒、扩散、抛光、刻蚀等处理工艺,上述工艺还包括若干个具体的工艺,使得太阳能电池的制备工艺冗长、复杂,增加了产品的单耗成本,工艺时间较长也会导致产能出现下降。
因此,如何提高太阳能电池制备过程中的成本和产能,也成为光伏产业急需解决的问题。
【发明内容】
为了克服上述缺陷,本申请提供一种太阳能电池及其制备工艺、光伏组件,能够有效降低制造成本、提高产能的同时还能提高太阳能电池的转换效率。
第一方面,本申请提供一种太阳能电池的制备工艺,包括以下步骤:
提供半导体衬底;
对所述半导体衬底进行制绒处理形成预偏光结构;
对所述制绒后的半导体衬底进行硼扩散形成硼扩散层,对所述硼扩散层进行一次酸洗、水洗和一次烘干处理;
对所述半导体衬底背面进行水洗、碱抛光、水洗、后清洗、二次酸洗、水洗、慢提和二次烘干处理,使得所述预偏光结构转变为偏光结构,所述碱抛光的抛光处理剂包括碱溶液、表面活性剂和脱泡剂;所述半导体衬底的表面积与所述偏光结构在所述半导体衬底表面的投影面积之比为(1.0~1.4):1;
对所述二次烘干处理的半导体衬底背面形成隧穿层和掺杂导电层;
对所述一次烘干处理后的半导体衬底正面形成正面钝化层和正面电极;以及
在所述掺杂导电层的表面形成背面钝化层和背面电极。
结合第一方面,所述一次酸洗前的硼扩散层的厚度为60nm~120nm;和/或所述一次酸洗后的硼扩散层的厚度为40nm~90nm。
结合第一方面,所述预偏光结构的底面边长为10μm~11μm,所述偏光结构的底面边长为5μm~9μm。
结合第一方面,所述抛光处理剂包括质量百分比的以下组分:碱溶液90%~95%、表面活性剂0.5%~1%、柠檬酸钠0.3%~0.5%、苯甲酸钠0.2%~0.5%和脱泡剂0.2%~3%。
结合第一方面,所述表面活性剂包括含氟表面活性剂和聚醚类表面活性剂中的至少一种;和/或所述表面活性剂在所述抛光处理剂中的质量占比为0.6%~0.8%。
结合第一方面,所述脱泡剂包括有机硅类脱泡剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的