[发明专利]一种太阳能电池及其制备工艺、光伏组件

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底；

对所述半导体衬底进行制绒处理形成预偏光结构；

对所述制绒后的半导体衬底进行硼扩散形成硼扩散层，对所述硼扩散层进行一次酸洗、水洗和一次烘干处理；

对所述半导体衬底背面进行水洗、碱抛光、水洗、后清洗、二次酸洗、水洗、慢提和二次烘干处理，使得所述预偏光结构转变为偏光结构，所述碱抛光的抛光处理剂包括碱溶液、表面活性剂和脱泡剂，所述半导体衬底的表面积与所述偏光结构在所述半导体衬底表面的投影面积之比为(1.0～1.4)：1；

对所述二次烘干处理的半导体衬底背面形成隧穿层和掺杂导电层；

对所述一次烘干处理后的半导体衬底正面形成正面钝化层和正面电极；以及

在所述掺杂导电层的表面形成背面钝化层和背面电极。

2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述一次酸洗前的硼扩散层的厚度为60nm～120nm；和/或所述一次酸洗后的硼扩散层的厚度为40nm～90nm。

3.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述预偏光结构的底面边长为10μm～11μm，所述偏光结构的底面边长为5μm～9μm。

4.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述抛光处理剂包括质量百分比的以下组分：碱溶液90％～95％、表面活性剂0.5％～1％、柠檬酸钠0.3％～0.5％、苯甲酸钠0.2％～0.5％和脱泡剂0.2％～3％。

5.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述表面活性剂包括含氟表面活性剂和聚醚类表面活性剂中的至少一种；和/或所述表面活性剂在所述抛光处理剂中的质量占比为0.6％～0.8％。

6.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述脱泡剂包括有机硅类脱泡剂。

7.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的正面和背面；

位于所述半导体衬底正面的硼扩散层、正面钝化层和正面电极；

位于所述半导体衬底背面的隧穿层和掺杂导电层，所述半导体衬底与所述隧穿层接触的表面设置偏光结构，所述半导体衬底的表面积与所述偏光结构在所述半导体衬底表面的投影面积之比(1.0～1.4)：1；

位于所述掺杂导电层表面的背面钝化层和背面电极。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述偏光结构的形貌包括金字塔状、棱锥状和棱柱状中的至少一种，所述偏光结构的底面边长为5μm～9μm。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述硼扩散层的厚度为40nm～90nm。

10.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括多个太阳能电池串，每个所述太阳能电池串由权利要求7～9任一项所述的太阳能电池电连接形成。