[发明专利]一种用于碳化硅晶体生长时提高原料传输效率的装置在审
| 申请号： | 202210859443.0 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115044969A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 熊希希;杨祥龙;陈秀芳;于国建;胡小波;王垚浩 | 申请（专利权）人： | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
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| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碳化硅 晶体生长 提高 原料 传输 效率 装置 | ||
1.一种用于碳化硅晶体生长时提高原料传输效率的装置，其特征在于，所述装置包括石墨筒和石墨板，其中：
所述石墨筒为中空的筒形结构，用于放置在坩埚的底部；所述石墨筒的中轴线与所述坩埚的中轴线重合或近似重合；
所述石墨板用于插置在所述石墨筒中；
利用所述石墨筒和石墨板，将所述坩埚的装料区间隔为三个或三个以上的子装料区。
2.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶体生长时提高原料传输效率的装置，其特征在于，所述装置包括第一石墨筒、一个石墨板，其中：
所述石墨板将所述第一石墨筒中的原料间隔为第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域的原料重量相等或近似相等。
3.根据权利要求2所述的用于碳化硅晶体生长时提高原料传输效率的装置，其特征在于，在所述坩埚和所述第一石墨筒之间还设置有第二石墨筒，所述第一石墨筒和第二石墨筒同心或近似同心设置。
4.根据权利要求2所述的用于碳化硅晶体生长时提高原料传输效率的装置，其特征在于，所述第一石墨筒和坩埚均为圆筒形结构，所述第一石墨筒的内径为所述坩埚内径的6/10～7/10。
5.根据权利要求3所述的用于碳化硅晶体生长时提高原料传输效率的装置，其特征在于，所述第一石墨筒、第二石墨筒和坩埚均为圆筒形结构，所述第一石墨筒的内径为所述坩埚内径的2/5～3/5，所述第一石墨筒的内径为所述坩埚内径的5/8～7/8。
6.根据权利要求1至5任一所述的用于碳化硅晶体生长时提高原料传输效率的装置，其特征在于，各所述子装料区中所装原料的高度相同或近似形同。
7.根据权利要求1至5任一所述的用于碳化硅晶体生长时提高原料传输效率的装置，其特征在于，所述石墨筒的壁厚为2～5㎜。
8.根据权利要求7所述的用于碳化硅晶体生长时提高原料传输效率的装置，其特征在于，所述石墨筒的高度为所述坩埚高度的2/5～3/5。
9.根据权利要求1至5任一所述的用于碳化硅晶体生长时提高原料传输效率的装置，其特征在于，所述石墨板的厚度为2～5㎜。
10.根据权利要求9所述的用于碳化硅晶体生长时提高原料传输效率的装置，其特征在于，所述石墨板的高度为所述坩埚高度的2/5～3/5。
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