[发明专利]半导体存储器装置和包括其的存储器系统

说明书

提供了半导体存储器装置和存储器系统。半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元行、行锤击管理电路和刷新控制电路。行锤击管理电路响应于来自外部存储器控制器的激活命令对与多个存储器单元行中的每一个关联的访问次数进行计数，以将计数值作为计数数据存储在多个存储器单元行中的每一个中；行锤击管理电路基于计数值确定与多个存储器单元行中的被密集访问超过预定参考次数的至少一个存储器单元行关联的锤击地址；并且行锤击管理电路执行内部读取‑更新‑写入操作。刷新控制电路接收锤击地址，并且对物理地邻近于与锤击地址对应的存储器单元行的受害存储器单元行执行锤击刷新操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2021年7月20日提交的韩国专利申请No.10-2021-0094658和于2021年9月16日提交的韩国专利申请No.10-2021-0123649的优先权的利益，以上申请中的每一个的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本公开涉及存储器，更具体地说，涉及执行锤击刷新操作(hammer refreshoperation)的半导体存储器装置和包括其的存储器系统。

背景技术

半导体存储器装置可分为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置是指在断电时丢失存储在其中的数据的存储器装置。作为易失性存储器装置的示例，动态随机存取存储器(DRAM)可用于诸如移动系统、服务器或图形装置的各种装置中。

在诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置的易失性存储器装置中，存储在存储器单元中的单元电荷会通过泄漏电流丢失。另外，当字线在激活状态与预充电状态之间频繁转换时(即，当字线被密集或频繁访问时)，连接至与被频繁访问的字线相邻的字线的受影响的存储器单元会丢失存储的电荷。存储在存储器单元中的电荷会在数据通过单元电荷的泄漏丢失之前通过重新充电而保持。单元电荷的这种重新充电被称作刷新操作，可在单元电荷大量丢失之前重复地执行刷新操作。

发明内容

示例实施例可提供能够管理全部多个存储器单元行的行锤击的半导体存储器装置。

示例实施例可提供包括能够管理全部多个存储器单元行的行锤击的半导体存储器装置的存储器系统。

根据示例实施例，一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、行锤击管理电路和刷新控制电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元行，并且多个存储器单元行中的每一个包括多个存储器单元。行锤击管理电路响应于来自外部存储器控制器的激活命令对与多个存储器单元行中的每一个关联的访问次数进行计数，以将计数值作为计数数据存储在多个存储器单元行中的每一个中；行锤击管理电路基于计数值确定与多个存储器单元行中的被密集访问超过预定参考次数的至少一个存储器单元行关联的锤击地址；并且行锤击管理电路响应于在激活命令之后施加的第一命令，执行内部读取-更新-写入操作，以从多个存储器单元行中的目标存储器单元行中读取计数数据，更新读取的计数数据，并且将更新的计数数据写入在目标存储器单元行中。刷新控制电路接收锤击地址，并且对物理地邻近于与锤击地址对应的存储器单元行的一个或多个受害存储器单元行执行锤击刷新操作。