[发明专利]半导体存储器装置和包括其的存储器系统

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括：

存储器单元阵列，其包括各自包括多个存储器单元的多个存储器单元行；

行锤击管理电路，其被配置为：

响应于来自外部存储器控制器的激活命令，对与所述多个存储器单元行中的每一个关联的访问次数进行计数，以将计数值作为计数数据存储在所述多个存储器单元行中的每一个中，

基于所述计数值确定与所述多个存储器单元行中的被密集地访问多于预定参考次数的至少一个存储器单元行关联的锤击地址，以及

响应于在所述激活命令之后施加的第一命令，执行内部读取-更新-写入操作，以从所述多个存储器单元行中的目标存储器单元行读取所述计数数据，更新所读取的所述计数数据，并且将更新的计数数据写入在所述目标存储器单元行中；以及刷新控制电路，其被配置为接收所述锤击地址，并对物理地邻近于与所述锤击地址对应的存储器单元行的一个或多个受害存储器单元行执行锤击刷新操作。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述行锤击管理电路被配置为响应于在与所述目标存储器单元行上的存储器操作关联的第二命令之后施加的所述第一命令，执行所述内部读取-更新-写入操作，并且

其中，在所述激活命令之后从所述外部存储器控制器施加所述第二命令。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述第二命令对应于指示所述目标存储器单元行上的读取操作的读取命令或者指示所述目标存储器单元行上的写入操作的写入命令，并且

其中，所述第一命令对应于在所述外部存储器控制器将预充电命令施加至所述目标存储器单元行之前从所述外部存储器控制器施加的激活计数更新命令。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述第二命令对应于指示所述目标存储器单元行上的读取操作的读取命令或者指示所述目标存储器单元行上的写入操作的写入命令，并且

其中，所述第一命令对应于指示所述目标存储器单元行上的预充电操作的预充电命令。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述行锤击管理电路被配置为响应于以下信号执行所述内部读取-更新-写入操作：

具有逻辑低电平的芯片选择信号，以及

所述预充电命令的第一命令/地址信号至第十四命令/地址信号当中的第九命令/地址信号或者第十命令/地址信号。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述行锤击管理电路被配置为响应于在所述激活命令之后从所述外部存储器控制器选择性地施加的所述第一命令，执行所述内部读取-更新-写入操作，

其中，所述第一命令与所述目标存储器单元行上的存储器操作关联。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，所述第一命令对应于包括自动预充电的读取命令或者包括自动预充电的写入命令，并且

其中，所述行锤击管理电路被配置为响应于以下信号执行所述内部读取-更新-写入操作：

具有逻辑高电平的芯片选择信号，以及

包括自动预充电的所述读取命令或者包括自动预充电的所述写入命令的第一命令/地址信号至第十四命令/地址信号当中的第十命令/地址信号。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述行锤击管理电路包括：

加法器，其被配置为更新来自所述目标存储器单元行的所读取的所述计数数据，以输出所述更新的计数数据；

比较器，其被配置为将所读取的所述计数数据与所述预定参考次数进行比较，以输出比较信号；以及

锤击地址队列，其被配置为：

响应于指示所读取的所述计数数据等于或大于所述预定参考次数的所述比较信号，存储指示所述目标存储器单元行的目标访问地址，以及

向所述刷新控制电路提供所述目标访问地址作为所述锤击地址。