[发明专利]半导体电路及其操作方法在审

专利信息
申请号: 202210787531.4 申请日: 2022-07-04
公开(公告)号: CN116523061A 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 王匀远;陈威臣;李岱萤;李明修 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G06N10/40 分类号: G06N10/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 电路 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种半导体电路,包括多个串行,所述多个串行包括:

一第一串行,包括串联的一第一装置单元与一第二装置单元,其中该第一串行具有一权重信号W1,该第一装置单元具有输入信号A,该第二装置单元具有输入信号B;以及

一第二串行,包括串联的一第三装置单元与一第四装置单元,其中该第二串行具有一权重信号W2,该第三装置单元具有输入信号该第四装置单元具有输入信号其中,

该半导体电路的输出信号为所述多个串行的输出串行信号的总和,所述多个串行的所述多个输出串行信号包括:

该第一串行的一输出串行信号,其为“W1×(A AND B)”或“A AND(W1×B)”;以及

该第二串行的一输出串行信号,其为或

2.根据权利要求1所述的半导体电路,其中该第一串行与该第二串行之间具有一第一节点,该第一节点的一输出信号为或为

3.根据权利要求1所述的半导体电路,其中该第一串行与该第二串行之间具有一第一节点,

当该权重信号W1为“1”,且该权重信号W2为“1”时,该第一节点的一输出信号为“A XNORB”;

当该权重信号W1为“1”,且该权重信号W2为“0”时,该第一节点的该输出信号为“AANDB”。

4.根据权利要求1所述的半导体电路,包括一串行组,其中该串行组包括该第一串行与该第二串行,该第一串行与该第二串行电性并联,其中该半导体电路还包括一位线与一源极线,该第一串行与该第二串行电性电性并联在该位线与该源极线之间,所述多个串行为NAND串行。

5.根据权利要求1所述的半导体电路,其中,

该第一串行还包括一第一权重单元,该第一权重单元具有该权重信号W1,

该第二串行还包括一第二权重单元,该第二权重单元具有该权重信号W2。

6.根据权利要求1所述的半导体电路,其中,

该第一装置单元或该第二装置单元具有该权重信号W1,

该第三装置单元或该第四装置单元具有该权重信号W2。

7.根据权利要求1所述的半导体电路,其中该半导体电路应用数学模型(M)执行量子退火计算,

数学模型(M)

其中该第一串行与该第二串行之间具有一第一节点,该第一节点的一输出信号为“σiANDσi”,或者为“σiXNORσj”,其中该输入信号A、该输入信号B、该输入信号与该输入信号分别为施加在该第一装置单元、该第二装置单元、该第三装置单元与该第四装置单元的栅极电压,

当所述多个栅极电压为正电压时,该数学模型(M)的变量“σi”或“σj”为“1”,

当所述多个栅极电压为0V时,该数学模型(M)的变量“σi”或“σj”为“-1”。

8.根据权利要求1所述的半导体电路,其中该半导体电路应用数学模型(M)执行量子退火计算,

数学模型(M)

其中该第一串行与该第二串行之间具有一第一节点,该第一节点的一输出信号为“σiANDσi”,

当该第一串行的该第一装置单元与该第二装置单元具有低的阈值电压,且该第二串行的该第三装置单元与该第四装置单元具有高的阈值电压时,该数学模型(M)中的参数“hi”为“1”,

当该第一串行的该第一装置单元与该第二装置单元和该第二串行的该第三装置单元与该第四装置单元具有高的阈值电压时,该数学模型(M)中的参数“hi”为“0”。

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