[发明专利]一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法

说明书

本发明公开了一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，涉及LED芯片技术领域。该提升芯片可靠性的LED芯片制作方法包括以下步骤：提供芯片基层，在芯片基层上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，用于形成LED晶圆、半成品的制备、第一步的质检工作、切割处理、LED芯片外延层的形成、单颗LED芯片的电极制作、第二步的质检工作以及对质检合格的LED芯片进行包装入库，不合格的LED芯片作废处理。该提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，通过在制作过程中添加熏蒸液，能够保证加工出的LED芯片整体的耐热效果，其纳米醋、醋酸铜水溶液能够提升沉积SiON的硬度和耐热效果，从而能够保证LED芯片在使用过程中的耐热效果，从而起到提升LED芯片可靠性的效果。

技术领域

本发明涉及LED芯片技术领域，具体为一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法。

背景技术

发光二极管是一种能发光的固态半导体电子元件，由于其发光效率高，颜色范围广，使用寿命长，广泛应用于指示灯、显示屏、照明等技术领域。传统的LED制作方法中，首先通过金属有机化合物化学气相沉积工艺在衬底外延生长外延层，再经过蒸镀、光刻形成外露的电极，随后进行切割，以得到多个单颗LED芯片。

现有技术中，在对LED芯片制作的过程中，常出现LED芯片半成品存在的残损区域，导致加工出的LED芯片无法正常运行的现象，导致后期相关的加工制作无效化，极大程度上降低了LED芯片制作的效率，此外，现有的LED芯片制作过程中未能对LED芯片进行加工，使得其板层耐热效果差，一定程度上降低LED芯片的芯片可靠性；鉴于此，我们提出了一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，解决了上述背景技术提到的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，所述LED芯片制作方法包括以下步骤：

S1、提供芯片基层，在芯片基层上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，用于形成LED晶圆；

S2、半成品的制备，沉积CBL电子阻挡层、CBL电子阻挡层图形化、蒸镀ITO透明导电层、沉积SiON膜、熏蒸处理、用磷酸将SiON腐蚀图形化、ITO图形化后去胶、ICP光刻、ICP刻蚀露出N区、加热处理、ICP蚀刻去胶、用磷酸去除SiON、ITO合金和沉积SiO2保护层，制得半成品；

S3、第一步的质检工作，对加工后的半成品进行质检工作；

S4、切割处理，根据单颗LED芯片尺寸将衬底进行切割处理；

S5、LED芯片外延层的形成，在衬底上形成LED芯片外延层；

S6、单颗LED芯片的电极制作，形成多个单颗LED芯片的电极；

S7、第二步的质检工作，对单颗LED芯片进行质检工作；

S8、对质检合格的LED芯片进行包装入库，不合格的LED芯片作废处理。

可选的，S1形成LED晶圆的过程中，LED晶圆的加工环境温度为70-90摄氏度，其无尘标准为0.1um浓度≤10，0.2um浓度≤2。

可选的，S2中熏蒸处理需对带有蒸镀ITO透明导电层的LED晶圆进行熏蒸加工，熏蒸液的温度为115-130摄氏度。