[发明专利]一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法

权利要求书

1.一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：所述LED芯片制作方法包括以下步骤：

S1、提供芯片基层，在芯片基层上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，用于形成LED晶圆；

S2、半成品的制备，沉积CBL电子阻挡层、CBL电子阻挡层图形化、蒸镀ITO透明导电层、沉积SiON膜、熏蒸处理、用磷酸将SiON腐蚀图形化、ITO图形化后去胶、ICP光刻、ICP刻蚀露出N区、加热处理、ICP蚀刻去胶、用磷酸去除SiON、ITO合金和沉积SiO2保护层，制得半成品；

S3、第一步的质检工作，对加工后的半成品进行质检工作；

S4、切割处理，根据单颗LED芯片尺寸将衬底进行切割处理；

S5、LED芯片外延层的形成，在衬底上形成LED芯片外延层；

S6、单颗LED芯片的电极制作，形成多个单颗LED芯片的电极；

S7、第二步的质检工作，对单颗LED芯片进行质检工作；

S8、对质检合格的LED芯片进行包装入库，不合格的LED芯片作废处理。

2.根据权利要求1所述的一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：S1形成LED晶圆的过程中，LED晶圆的加工环境温度为70-90摄氏度，其无尘标准为0.1um浓度≤10，0.2um浓度≤2。

3.根据权利要求1所述的一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：S2中熏蒸处理需对带有蒸镀ITO透明导电层的LED晶圆进行熏蒸加工，熏蒸液的温度为115-130摄氏度。

4.根据权利要求3所述的一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：所述熏蒸液由纳米醋、分散剂以及蒸馏水组成，所述蒸馏水的质量为熏蒸液总体质量的92％-95％。

5.根据权利要求1所述的一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：S2中对带有露出N区的LED晶圆进行加热处理，加热温度为90-95摄氏度，加热方式为油浴加热。

6.根据权利要求1所述的一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：S3中进行第一步的质检工作，对S2中的半成品进行外观的检测，检测其外观是否有残损的部分，若无残损存在进行进行下一步制作；若存在的残损部分则对残损部分的LED晶圆进行绝缘处理，所述绝缘处理对LED晶圆残损部位进行绿油涂抹，后对绿油涂抹进行紫光灯固化。

7.根据权利要求6所述的一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：S3中进一步包括，对绿油涂抹进行紫光灯固化后，人工对紫光灯固化区域喷涂标记喷漆。

8.根据权利要求7所述的一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：所述S4中对衬底进行切割处理，采用的切割方式为微应力切割，并对带有标记喷漆区域的LED晶圆进行分拣，将分拣出带有标记喷漆区域的LED晶圆进行作废处理。

9.根据权利要求1所述的一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：所述S7中第二步的质检工作对单颗LED芯片进行测试，并将不合格的LED芯片进行分拣。

10.根据权利要求8所述的一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：所述S4中进一步包括：微应力切割后对LED晶圆的边缘处进行打磨作业，且打磨过程中对LED晶圆进行覆盖处理。