[发明专利]阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板在审
申请号: | 202210740301.2 | 申请日: | 2022-06-28 |
公开(公告)号: | CN115132750A | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 金玉;徐磊;顾维杰;谢水林;李磊;周至奕 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 蔡维华;黄健 |
地址: | 215300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制备 方法 显示 面板 | ||
本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板,阵列基板包括阵列层,阵列层上设置有第一导电线和第一电极,第一电极通过第一导电线与阵列层电性连接,第一导电线覆盖其连接的第一电极的至少部分表面;第一电极为退火电极。第一导电线覆盖在第一电极的至少部分表面,在阵列层上先形成第一电极,第一电极可以为退火电极,即第一电极可以经过退火处理而形成,再形成第一导电线,经退火处理的第一电极对刻蚀溶剂的抗腐蚀性较强,从而缓解在刻蚀第一导电线的过程中对第一电极的过度刻蚀。因此,本申请提供的阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板,能够减少透光区中的阳极在制备过程中过度刻蚀的现象,从而提升显示面板的显示效果。
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展,市场对于高屏占比的显示面板的需求越来越迫切,显示面板朝着全屏化方向发展。
相关技术中,显示面板包括透光区,在透光区的显示面板的背光面集成屏下功能器件,光能够穿过透光区的显示面板到达屏下功能器件,实现屏下功能器件的功能;另一方面,透光区的显示面板还可以正常发光,实现显示功能,保证显示面板具有较高的屏占比。
然而,上述透光区中的阳极在制备过程中容易被过度刻蚀,影响显示面板的显示效果。
发明内容
鉴于上述的至少一个技术问题,本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板,能够减少透光区中的阳极在制备过程中过度刻蚀的现象,从而提升显示面板的显示效果。
为了实现上述目的,本申请实施例提供如下技术方案:
本申请实施例的第一方面提供一种阵列基板,包括阵列层,阵列层上设置有第一导电线和第一电极,第一电极通过第一导电线与阵列层电性连接,第一导电线覆盖其连接的第一电极的至少部分表面。
本申请实施例提供的阵列基板,阵列基板可以包括阵列层,阵列层上设置有第一导电线和第一电极,第一电极通过第一导电线与阵列层电性连接,从而使得阵列层通过第一导电线向第一电极传输信号。第一导电线覆盖在其连接的第一电极至少部分表面,可以在阵列层上先形成第一电极,再形成第一导电线。由于第一电极可以为退火电极,即第一电极可以经过退火处理而形成。这样,第一电极对刻蚀溶剂的抗腐蚀性较强,从而缓解在刻蚀第一导电线的过程中对第一电极的过度刻蚀,以提升显示面板的显示效果。
可以实现的是,第一电极包括依次叠层设置的第一透明电极层、金属电极层和第二透明电极层;
可以实现的是,第一导电线为透明导电线;
可以实现的是,第一导电线的形状为曲线。
这样,第一导电线与第一电极的实现式较多,适用场景较多。
在一种可能的实现方式中,沿阵列层至第一电极的方向,第一电极平行于阵列层的截面面积逐渐减小。
这样,第一电极的侧壁面面积较大,第一电极与附着于第一电极上的结构层的连接稳定性较高。
在一种可能的实现方式中,第一导电线靠近第一电极的一端具有导电部,导电部位于第一电极背离阵列层的一侧,导电部在阵列层上的正投影与第一电极在阵列层上的正投影至少部分重叠。
这样,导电部可以降低第一导电线与第一电极之间的接触电阻。
在一种可能的实现方式中,覆盖于第一电极的第一导电线的端部相对于第一电极的边缘的延伸长度范围为0.5μm-5μm。
这样,以使得第一电极和第一导电线之间连接较为稳定,另外,可以避免第一导电线过多的影响第一电极的表面平整度。
本申请实施例的第二方面提供一种阵列基板的制备方法,包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司,未经昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210740301.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的