[发明专利]阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括阵列层，所述阵列层上设置有第一导电线和第一电极，所述第一电极通过所述第一导电线与所述阵列层电性连接，所述第一导电线覆盖其连接的所述第一电极的至少部分表面，所述第一电极为退火电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一导电线与所述第一电极搭接的部分的长度为0.5μm-5μm；

优选的，所述第一电极包括依次叠层设置的第一透明电极层、金属电极层和第二透明电极层；

优选的，所述第一导电线为透明导电线；

优选的，所述第一导电线的形状为曲线。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，沿所述阵列层至所述第一电极的方向，所述第一电极平行于所述阵列层的截面面积逐渐减小。

4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电线靠近所述第一电极的一端具有导电部，所述导电部位于所述第一电极背离所述阵列层的一侧，所述导电部在所述阵列层上的正投影与所述第一电极在所述阵列层上的正投影至少部分重叠。

5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供阵列层；

在所述阵列层上形成第一电极；

对所述第一电极进行退火处理；

在所述阵列层上形成第一导电线，所述第一导电线覆盖在经过退火处理的所述第一电极的部分表面上；

其中，所述第一电极通过所述第一导电线与所述阵列层电性连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，对所述第一电极进行退火处理的步骤包括：

在惰性气体环境中、退火处理温度为200℃-300℃的条件下，对所述第一电极退火处理40min-100min；

优选的，所述惰性气体包括氦气、氖气、氪气、氩气、氙气以及氮气中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述阵列层上形成所述第一导电线的步骤包括：

在所述第一电极和所述阵列层上形成导电层；

图案化所述导电层，以形成所述第一导电线，所述第一导电线覆盖在至少一个所述第一电极的部分侧壁面；

优选的，所述第一导电线覆盖在所述第一电极背离所述阵列层的部分表面上。

8.一种显示面板，其特征在于，包括上述权利要求1-4任一所述的阵列基板。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，包括多个设置于所述阵列基板的阵列层上的发光结构，所述阵列基板的同一条第一导电线连接至少两个发光颜色相同的所述发光结构。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括透光区、显示区以及位于所述透光区和所述显示区之间的过渡区，位于所述过渡区的所述阵列层包括多个像素驱动电路；

位于所述过渡区内的一个所述像素驱动电路通过所述第一导电线与位于所述透光区内的多个所述发光结构电性连接；

优选的，所述阵列层中设置有位于所述透光区和所述过渡区的透光的第二导电线，所述第二导电线与所述第一导电线电连接，位于所述过渡区内的一个所述像素驱动电路通过所述第一导电线和所述第二导电线与位于所述透光区内的多个所述发光结构电性连接。