[发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室

说明书

本申请公开了一种半导体工艺设备及其工艺腔室，属于半导体工艺技术。该半导体工艺设备的工艺腔室包括：遮蔽盘，用于对基座进行遮挡保护；旋转动力机构，用于驱动遮蔽盘旋转，使得遮蔽盘在第一位置与第二位置之间来回切换；升降动力机构，用于驱动遮蔽盘升降，使得遮蔽盘在第三位置与第二位置之间来回切换。本申请的工艺腔室，可实现遮蔽盘的升起和降落，以在对基座进行遮挡保护的同时，避免在遮蔽盘转移过程中因相对摩擦而产生颗粒导致产品不良的问题。

技术领域

本申请属于半导体工艺技术领域，尤其涉及一种半导体工艺设备及其工艺腔室。

背景技术

半导体工艺通常是在真空环境下进行的。例如：物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)一般是在密封腔室中进行的。一般地，在PVD腔室中会进行一些调节操作以确保工艺性能。如预烧靶材和靶材清洗等，这些调节操作均需在操作过程中利用遮蔽盘遮挡保护支撑衬底的基座，以免靶材上的工艺杂质穿过阴影环掉落污染该基座。然而，现有的工艺腔室10一般如图1所示，其遮蔽盘11承托在可在旋转机构12的驱动下来回旋转的托板13上，当需要对该基座20进行遮挡保护时，其遮蔽盘11可在托板13的带动下旋转到该基座20的上方后，再由穿过基座20设置的若干可升降顶针30顶起遮蔽盘11，使得遮蔽盘11与托板13分离，此时，托板13自行复位，若干可升降顶针30降下遮蔽盘11，以覆盖在该基座20上对其进行遮挡保护。当无需对该基座20进行遮挡保护时，只需按照相反的操作步骤使遮蔽盘11由基座20上重新回到托板13，并跟随托板13重新远离基座20的上方即可。这样一来，在可升降顶针30顶起或降下遮蔽盘11的时候，遮蔽盘11和托板30的定位结构、遮蔽盘11和可升降顶针30、遮蔽盘11和基座200等的耦合及分离过程中，会因相对摩擦而产生颗粒，且由于耦合及分离过程发生在基座20的上方，因而，这些颗粒会掉落在基座20的表面上，使得当衬底放到基座20上进行相应的半导体工艺处理时会因颗粒导致产品不良。

发明内容

本申请实施例提供一种工艺腔室与半导体工艺设备，旨在解决现有工艺腔室容易在遮蔽盘转移过程中因相对摩擦而产生颗粒导致产品不良的问题。

第一方面，本申请实施例提供一种用于半导体工艺设备的工艺腔室，包括：

遮蔽盘，用于对基座进行遮挡保护；

旋转动力机构，用于驱动所述遮蔽盘旋转，使得所述遮蔽盘在第一位置与第二位置之间来回切换；

升降动力机构，用于驱动所述遮蔽盘升降，使得所述遮蔽盘在第三位置与所述第二位置之间来回切换。

可选的，在一些实施例中，所述旋转动力机构包括托板以及通过旋转轴组件驱动所述托板旋转的旋转驱动器，所述遮蔽盘固设在所述托板的上表面。

可选的，在一些实施例中，所述托板的上表面设置有台阶凸起，所述遮蔽盘固设在所述台阶凸起上。

可选的，在一些实施例中，所述旋转轴组件包括第一法兰、波纹管、第二法兰以及旋转轴，所述第一法兰的上端紧固在所述托板上，所述第二法兰套设固定在所述旋转轴的驱动端上，且所述第一法兰与所述第二法兰之间连接有所述波纹管，所述第一法兰的下端还与内置于所述旋转轴中的所述升降动力机构进行紧固连接，所述旋转驱动器驱动连接所述旋转轴的驱动端。

可选的，在一些实施例中，所述旋转轴的驱动端套设有卡环，所述旋转轴的驱动端的外侧壁设置有限制所述卡环沿着所述旋转柱的长度方向向所述第一法兰运动的限位凸起；所述第二法兰套设在所述旋转轴的驱动端上，并与所述卡环进行紧固连接。

可选的，在一些实施例中，所述第二法兰与所述旋转轴的驱动端之间还设置有第一密封圈。

可选的，在一些实施例中，所述升降动力机构包括内置于所述旋转轴中的升降轴、驱动所述升降轴伸出所述旋转轴外的压缩空气腔室以及驱动所述升降轴缩回所述旋转轴内的复位弹簧，所述第一法兰与所述升降轴的升降端进行紧固连接。