[发明专利]异质结双极晶体管在审
| 申请号： | 202210679343.X | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN115188805A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 梅本康成;小屋茂树;大部功 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/201;H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金雪梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 | ||
1.一种异质结双极晶体管，其中，
具有层叠在基板上的集电极层、基极层以及发射极层，
所述集电极层包含渐变型半导体层，其中电子亲和力从接近所述基极层的侧朝向远离所述基极层的侧增大，
所述基极层的接近所述集电极层的界面的材料与所述渐变型半导体层的接近所述基极层的界面的材料相同。
2.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中，
所述基极层由AlGaAs形成，并且
所述渐变型半导体层由AlGaAs形成。
3.根据权利要求2所述的异质结双极晶体管，其中，
所述基极层的AlAs混晶比从接近所述发射极层的界面朝向接近所述集电极层的界面降低。
4.根据权利要求2所述的异质结双极晶体管，还包括：
在所述基极层和所述渐变型半导体层之间的中间层，
其中，所述中间层由GaAs形成。
5.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中，
所述基极层由GaAs形成，并且
所述渐变型半导体层由GaInAsN形成。
6.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中，
所述基极层由InGaAsP形成，并且
所述渐变型半导体层由InGaAsP形成。
7.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中，
所述基极层的电子亲和力从接近所述发射极层的界面朝向接近所述集电极层的界面增大。
8.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中，
所述基极层由AlGaAs形成，并且
所述基极层的AlAs混晶比从接近所述发射极层的界面朝向接近所述集电极层的界面降低。
9.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中，
所述集电极层包括第一部分和第二部分，所述第一部分是接近所述基极层的一部分，所述第二部分是远离所述基极层的剩余部分，并且
所述第一部分的掺杂浓度低于所述第二部分的掺杂浓度。
10.根据权利要求9所述的异质结双极晶体管，其中，
所述基极层由AlGaAs形成，并且
所述渐变型半导体层由AlGaAs形成。
11.根据权利要求9所述的异质结双极晶体管，其中，
所述基极层由GaAs形成，并且
所述渐变型半导体层由GaInAsN形成。
12.根据权利要求9所述的异质结双极晶体管，其中，
所述基极层由InGaAsP形成，并且
所述渐变型半导体层由InGaAsP形成。
13.根据权利要求10所述的异质结双极晶体管，还包括：
在所述基极层和所述渐变型半导体层之间的中间层，
其中，所述中间层由GaAs形成。
14.根据权利要求9所述的异质结双极晶体管，其中，
所述第一部分由选自由掺杂浓度为3×1015cm-3或以下的n型半导体、掺杂浓度为1×1015cm-3或以下的p型半导体、以及本征半导体构成的组中的至少一种半导体形成。
15.根据权利要求9所述的异质结双极晶体管，其中，
所述第二部分包括第三部分和第四部分，所述第三部分为接近所述第一部分的一部分，所述第四部分为远离所述第一部分的剩余部分，并且
所述第三部分的掺杂浓度低于所述第四部分的掺杂浓度。
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