[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

本发明涉及用于从基板上去除有机膜的基板处理方法以及基板处理装置，提供能够抑制药液成本的负担和废液处理的负荷，并且能够高效率地从基板上去除有机膜的基板处理方法和基板处理装置。用于从基板上去除有机膜的基板处理方法具有：a)通过向基板处理室内导入含臭氧气体，使含臭氧气体充满所述基板处理室内的至少所述基板上方的空间的工序；b)在所述工序a)之后，开始经由所述空间向所述基板上进行包含硫酸的加热后的药液的喷雾的工序；c)继续通过所述工序b)开始的所述喷雾的工序；d)停止在所述工序c)中继续的所述喷雾的工序。

技术领域

本发明涉及用于从基板上去除有机膜的基板处理方法以及基板处理装置。基板中例如包含半导体晶片、液晶显示装置以及有机EL(Electroluminescence)显示装置等FPD(Flat Panel Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。

背景技术

半导体装置的制造方法通常需要对基板进行清洗的处理。典型地，进行将不需要的有机膜(典型地，抗蚀剂膜)从基板上去除的清洗处理。例如，根据日本特开2016-181677号公报(专利文献1)，对基板的表面进行使用硫酸/过氧化氢水混合液(SPM：Sulfuricacid/hydrogen Peroxide Mixture)作为药液的SPM清洗。但是，该处理消耗大量的SPM。SPM有时难以进行有效的再利用，药液成本的负担和废液处理的负荷大。因此，近年来，进行了能够降低材料成本的负担和废液处理的负荷的基板处理方法的研究。作为其中之一，正在研究使用硫酸和臭氧混合液(SOM：Sulfuric acid and Ozone Mixture)代替SPM作为药液的SOM清洗。通过混合硫酸和臭氧，而生成过二硫酸根离子(S₂O₈^2-)作为活性种(蚀刻剂)。

例如，根据日本特开2013-150007号公报(专利文献2)，从喷嘴向基板供给包含臭氧气体的微小气泡的硫酸。另外，根据美国专利第6869487号说明书(专利文献3)，通过控制基板上的液层的厚度，由此通过贯通液层的扩散使臭氧到达基板的表面。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2016-181677号公报

专利文献2：日本特开2013-150007号公报

专利文献3：美国专利第6869487号说明书

发明内容

发明要解决的课题

臭氧的半衰期例如在150℃的空气中约为90分钟，比较长，但在150℃的硫酸中不足10秒，非常短。这样，在硫酸中臭氧容易迅速分解。因此，如上述日本特开2013-150007号公报的技术那样，在从喷嘴喷出之前的硫酸中已经含有臭氧的情况下，在到达基板附近之前的过早的时间点，大量的臭氧容易分解。与之对应地，基于臭氧的分解的活性种的生成也容易在过早的时间点进行，其结果是，活性种的大部分在到达基板之前失活。因此，难以高效率地进行利用了活性种的基板处理。此外，若通过将使药液含有臭氧的压力设为高压来提高臭氧浓度，则处理效率也可能相应地提高，但在实用上难以稳定地维持获得显著效果所需的高压状态。

根据上述美国专利第6869487号说明书，需要贯通基板上的液层那样的臭氧扩散。但是，根据本发明人等的研究，几乎不容易产生贯通液层那样的扩散。因此，在该方法中，也难以高效率地进行基板处理。

本发明是为了解决以上那样的课题而完成的，其目的在于提供能够抑制药液成本的负担和废液处理的负荷，并且能够从基板上高效率地去除有机膜的基板处理方法以及基板处理装置。

用于解决课题的手段