[发明专利]一种动态比较器及芯片在审

专利信息
申请号: 202210634567.9 申请日: 2022-06-06
公开(公告)号: CN115051694A 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 胡毅;胡伟波;原义栋;赵天挺;李振国;侯佳力;杨尚争 申请(专利权)人: 北京智芯微电子科技有限公司;南开大学
主分类号: H03K5/24 分类号: H03K5/24
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 高英英
地址: 100192 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 动态 比较 芯片
【权利要求书】:

1.一种动态比较器,其特征在于,包括:

预放大级,用于放大输入的差分信号得到放大信号;

锁存级,所述锁存级与所述预放大级的输出端相连,用于锁存所述放大信号得到判决结果;

牵引电路,所述牵引电路与所述预放大级的输出端连接,所述牵引电路中至少包括第一电容、第二电容及反向时钟,所述反向时钟设于所述第一电容及第二电容之间;

当所述反向时钟处于上升沿时,所述第一电容和第二电容的电荷均保持不变,所述预放大级的输出端产生压差,使所述锁存级开启。

2.根据权利要求1所述的动态比较器,其特征在于,

所述预放大级具有两路输出端,所述牵引电路的两端分别与所述预放大级的两路输出端相连。

3.根据权利要求1所述的动态比较器,其特征在于,

所述锁存级包括正反馈环路,用于对放大信号进行正反馈;

所述预放大级的输出端连接所述正反馈环路的输入端。

4.根据权利要求3所述的动态比较器,其特征在于,

当所述动态比较器的时钟处于下降沿时,反向时钟处于上升沿;

当所述反向时钟处于上升沿时,所述第一电容和第二电容的电荷均保持不变,所述预放大级的输出端产生压差,使所述锁存级的正反馈环路开启。

5.根据权利要求1所述的动态比较器,其特征在于,

所述牵引电路的牵引强度与所述第一电容和第二电容的容值成反比。

6.根据权利要求1所述的动态比较器,其特征在于,

所述反向时钟的信号为对动态比较器的时钟信号取反。

7.根据权利要求1所述的动态比较器,其特征在于,

所述第一电容和第二电容均为无源电容。

8.根据权利要求1所述的动态比较器,其特征在于,

所述预放大级包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管;

所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极均与反向时钟相连,所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极均与动态比较器的时钟相连;所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极均与供电电源的正极相连;所述第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极及第二PMOS管的漏极相连;所述第三PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极相连,所述第四PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极相连;所述第二NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极均与动态比较器的时钟相连;所述第一NMOS管、所述第二NMOS管及所述第三NMOS管的源极均与供电电源的负极相连;所述第二NMOS管的栅极及所述第三NMOS管的栅极均与动态比较器的时钟相连。

9.根据权利要求8所述的动态比较器,其特征在于,

所述牵引电路的一端设于所述第三PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极之间;所述牵引电路的另一端设于所述第四PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极之间。

10.一种芯片,其特征在于,该芯片至少包括权利要求1-9中任一项所述的动态比较器。

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