[发明专利]一种动态比较器及芯片在审
| 申请号: | 202210634567.9 | 申请日: | 2022-06-06 |
| 公开(公告)号: | CN115051694A | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
| 发明(设计)人: | 胡毅;胡伟波;原义栋;赵天挺;李振国;侯佳力;杨尚争 | 申请(专利权)人: | 北京智芯微电子科技有限公司;南开大学 |
| 主分类号: | H03K5/24 | 分类号: | H03K5/24 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 高英英 |
| 地址: | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 动态 比较 芯片 | ||
1.一种动态比较器,其特征在于,包括:
预放大级,用于放大输入的差分信号得到放大信号;
锁存级,所述锁存级与所述预放大级的输出端相连,用于锁存所述放大信号得到判决结果;
牵引电路,所述牵引电路与所述预放大级的输出端连接,所述牵引电路中至少包括第一电容、第二电容及反向时钟,所述反向时钟设于所述第一电容及第二电容之间;
当所述反向时钟处于上升沿时,所述第一电容和第二电容的电荷均保持不变,所述预放大级的输出端产生压差,使所述锁存级开启。
2.根据权利要求1所述的动态比较器,其特征在于,
所述预放大级具有两路输出端,所述牵引电路的两端分别与所述预放大级的两路输出端相连。
3.根据权利要求1所述的动态比较器,其特征在于,
所述锁存级包括正反馈环路,用于对放大信号进行正反馈;
所述预放大级的输出端连接所述正反馈环路的输入端。
4.根据权利要求3所述的动态比较器,其特征在于,
当所述动态比较器的时钟处于下降沿时,反向时钟处于上升沿;
当所述反向时钟处于上升沿时,所述第一电容和第二电容的电荷均保持不变,所述预放大级的输出端产生压差,使所述锁存级的正反馈环路开启。
5.根据权利要求1所述的动态比较器,其特征在于,
所述牵引电路的牵引强度与所述第一电容和第二电容的容值成反比。
6.根据权利要求1所述的动态比较器,其特征在于,
所述反向时钟的信号为对动态比较器的时钟信号取反。
7.根据权利要求1所述的动态比较器,其特征在于,
所述第一电容和第二电容均为无源电容。
8.根据权利要求1所述的动态比较器,其特征在于,
所述预放大级包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管;
所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极均与反向时钟相连,所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极均与动态比较器的时钟相连;所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极均与供电电源的正极相连;所述第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极及第二PMOS管的漏极相连;所述第三PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极相连,所述第四PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极相连;所述第二NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极均与动态比较器的时钟相连;所述第一NMOS管、所述第二NMOS管及所述第三NMOS管的源极均与供电电源的负极相连;所述第二NMOS管的栅极及所述第三NMOS管的栅极均与动态比较器的时钟相连。
9.根据权利要求8所述的动态比较器,其特征在于,
所述牵引电路的一端设于所述第三PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极之间;所述牵引电路的另一端设于所述第四PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极之间。
10.一种芯片,其特征在于,该芯片至少包括权利要求1-9中任一项所述的动态比较器。
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