[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；以及

单元区，具有相对于第一方向相对的第一侧和第二侧，所述单元区包括形成在所述衬底中在所述第一方向上延伸的有源区；

相对于在垂直于所述第一方向的第二方向上的假想第一参考线，所述有源区的第一多数具有与所述第一参考线对齐的第一端部，所述第一侧平行于且靠近所述第一参考线；

相对于在所述第二方向上的假想第二参考线，所述有源区的第二多数具有与所述第二参考线对齐的第二端部，所述第二侧平行于且靠近所述第二参考线；以及

栅极结构，对应地位于所述有源区中的第一有源区和第二有源区上；并且

其中，相对于所述第二方向，所述栅极结构中的所选择栅极结构的第一端部邻接位于所述第一有源区和所述第二有源区之间的中间区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一隔离伪栅极，形成在所述中间区中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

所述半导体器件的低泄漏部分，其中，包括在所述半导体器件中的每个有源区具有相对于所述第二方向的第一高度；和

所述半导体器件的高泄漏部分，其中，包括在所述半导体器件中的每个有源区具有相对于所述第二方向的第二高度，所述第二高度大于所述第一高度；并且

其中：

所述第一有源区包括在所述低泄漏部分中；和

具有所述第一高度的每个有源区表现出等于或低于预定阈值的电流泄漏。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

所述半导体器件的高泄漏区，其中，所述第二有源区基本位于所述高泄漏部分内，并且，所述第二有源区被配置为具有大于所述第一有源区的所述高度的高度并且支持预定阈值内的开关速度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

相对于所述第一方向，所述第一有源区和所述第二有源区由所述中间区分离。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述第一隔离伪栅极的长轴在所述第二方向上延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一有源区为多个第一有源区中的一个；并且

所述半导体器件还包括：

所述半导体器件的低泄漏部分，其中，包括在所述半导体器件中的每个有源区具有相对于第二方向的第一高度；

所述半导体器件的高泄漏部分，其中，包括在所述半导体器件中的每个有源区具有相对于所述第二方向的第二高度，所述第二高度大于所述第一高度；和

所述低泄漏部分包括所述多个第一有源区的大部分；和

所述多个第一有源区中的成员通过具有尺寸S_1的对应间隙彼此分离。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：

所述第二有源区为多个第二有源区中的一个；和

相对于所述第一方向，高泄漏部分包括所述多个第二有源区的大部分；

相对于所述第一方向，所述多个第一有源区具有第一尺寸并且所述多个第二有源区具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸；和

所述多个第二有源区中的成员由具有所述尺寸S_1的对应间隙彼此分离。