[发明专利]一种n-i-p型钙钛矿发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种n-i-p型钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

S1将洁净的透明导电玻璃表面进行活化处理；

S2在步骤S1所得衬底表面采用ZnMgO前驱液沉积含羧酸基团的ZnMgO薄膜并退火，所述薄膜改善衬底的同时作为电子传输层(ETL)；

S3在步骤S2所得的ZnMgO薄膜表面采用原位成膜法旋涂含修饰剂的钙钛矿前驱液，获得钙钛矿发光层，所述修饰剂为氨基酸分子；

S4在步骤S3所制备的钙钛矿发光层表面旋涂空穴传输层；

S5在步骤S4所制得的空穴传输层上依次沉积空穴注入层和金属电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的ZnMgO前驱液的配置方法包括以下步骤：按ZnMgO中Zn与Mg的比例称取二水醋酸锌(Zn(Ac)₂·2H₂O)和四水醋酸镁(Mg(Ac)₂·4H₂O)溶于2-甲氧基乙醇，然后加入乙醇胺，搅拌1-48小时；其中前驱液总浓度为0.1-1.0M，乙醇胺与醋酸锌的摩尔比为0.1-1:1。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述ZnMgO薄膜中Mg的摩尔比例为5％～50％。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤S2包括以下步骤：将S1所述活化处理后的透明导电玻璃置于旋涂设备中，设置旋涂参数，将ZnMgO前驱液滴加在透明导电玻璃上，然后开始旋涂，旋涂结束后将所得薄膜进行退火处理，最后获得含羧酸基团的ZnMgO薄膜；其中旋涂设备的转速为2000-8000rpm，旋涂时间为20-60s；退火温度为150～200℃，退火时间为0.1-2h。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的ZnMgO薄膜的厚度为20-100nm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤S3包括以下步骤：在手套箱中，将钙钛矿前驱液滴覆在S2所制得的ZnMgO薄膜表面，用旋涂设备获得一层均匀的薄膜，旋涂结束后将所得薄膜进行退火处理；其中旋涂设备的转速为1000～5000rpm，旋涂时间为30～60s；退火温度为70-100℃，退火时间为1～10min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含修饰剂的钙钛矿前驱液的制备方法具体包括以下步骤：

(1)在手套箱中称取甲脒氢溴酸盐(FABr)和溴化铅(PbBr₂)溶解在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中；

(2)在手套箱中称取修饰剂加入(1)所得溶液，在手套箱中用磁力搅拌。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿前驱液中FABr、PbBr₂、修饰剂的摩尔比为2.4:1:x，x取值范围在0.2～1.0之间；前驱液中PbBr₂的摩尔浓度为0.05～0.2M，搅拌时间为4～12h。

9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述的修饰剂为5氨基戊酸(5AVA)或6氨基己酸(6ACA)。