[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202210552964.1 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN115440694A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 奥西勅子;波多俊幸 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/49;H01L23/544;H02M7/00;H02P27/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
本公开的实施例涉及半导体器件。为了减小用于大电流应用的半导体器件中的导通电阻，半导体器件包括源极端子引线，该源极端子引线在平面图中位于栅极端子引线与开尔文端子引线之间并且经由多个导线与源极端子电连接。
于2021年6月2日提交的日本专利申请No.2021-093167的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用整体并入本文。
背景技术
本发明涉及一种半导体器件，并且例如涉及可应用于作为逆变器的组件的半导体器件的技术。
这里，公开了以下列出的技术。
[专利文献1]日本未审查专利申请公开No.2008-294384
[专利文献2]日本未审查专利申请公开No.2009-231805
专利文献1公开了一种用于降低其中形成有功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的导通电阻的技术。
专利文献2也公开了一种用于降低其中形成有功率MOSFET的半导体器件的导通电阻的技术。
发明内容
近年来，考虑使大电流流向其中形成有功率半导体元件的半导体器件。例如，考虑使大约300A(即，300安培)的电流流向要用于三相逆变器的半导体器件。在这点上，当大电流流向半导体器件时，存在于半导体器件中的导通电阻对半导体器件的性能具有显著影响。因此，在要在有大电流流过的应用中使用的半导体器件中，希望降低导通电阻。
根据一个实施例的一种半导体器件包括强制端子引线，该强制端子引线在平面图中位于栅极端子引线与感测端子引线之间并且经由多个连接构件中的强制端子连接构件与强制端子电连接。
此外，根据另一实施例的一种半导体器件包括强制端子引线，该强制端子引线在平面图中位于栅极端子引线与多功能端子引线之间并且经由多个连接构件中的强制端子连接构件与强制端子电连接。
根据一个实施例，可以提高半导体器件的性能。
附图说明
图1是示出包括逆变器电路和三相感应电机的电路配置的电路图；
图2是示出用于实现逆变器电路的实现布局示例的示意图；
图3是示意性地示出半导体器件的内部结构的图；
图4是示意性地示出在未设置有开尔文端子引线时的功率MOSFET的连接配置的电路图；
图5是示意性地示出在设置有开尔文端子引线时的功率MOSFET的连接配置的电路图；
图6是示出根据实施例的半导体器件的封装配置的示意图；
图7是示出作为功率MOSFET的示例的n沟道型的沟槽栅型功率MOSFET的半导体芯片的放大截面图；
图8是示出根据第一修改示例的半导体器件的示意性配置的图；
图9是示出根据第二修改示例的半导体器件的示意性配置的图；
图10是示出根据第三修改示例的半导体器件的示意性配置的图；
图11是示出根据第四修改示例的半导体器件的示意性配置的图；
图12是示出根据第五修改示例的半导体器件的示意性配置的图；
图13是示意性地示出根据实施例的体现技术理念的导线的布置的图；
图14是示意性地示出体现现有技术的示例的导线的布置的图；
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