[发明专利]一种制作陶瓷混压正凹蚀板的方法

权利要求书

1.一种制作陶瓷混压正凹蚀板的方法，其特征在于：所述制作陶瓷混压正凹蚀板的方法包括如下步骤：

步骤S100：提供一个陶瓷覆铜板，以及至少一个高速环氧树脂覆铜箔板，所述陶瓷覆铜板包括一个陶瓷层，以及两个分别设置在所述陶瓷层两侧的第一铜层，所述高速环氧树脂覆铜箔板包括一个环氧树脂层，以及两个分别设置在环氧树脂层两侧的第二铜层；

步骤S110：对陶瓷覆铜板依次进行钻孔、化学沉铜、脉冲电镀、内层线路、图形电镀、蚀刻处理，并对蚀刻处理完成的陶瓷覆铜板进行光学检测；

步骤S120：对高速环氧树脂覆铜箔板依次进行内层线路、内层蚀刻处理，并对蚀刻处理完成的高速环氧树脂覆铜箔板进行光学检测；

步骤S130：将陶瓷覆铜板与高速环氧树脂覆铜箔板压合在一起形成混压板，并对混压板进行光学检测；

步骤S140：在完成光学检测后的混压板上钻孔，并将钻孔完成的混压板并依次放入等离子清理机、以及玻纤蚀刻处理；

步骤S150：将玻纤蚀刻完成的混压板依次进行化学沉铜、脉冲电镀、外层线路、图形电镀、蚀刻处理，并进行将混压板进行光学检测；

步骤S160：阻焊，将光学检测完的外层板表面涂覆保护膜。

2.如权利要求1所述的制作陶瓷混压正凹蚀板的方法，其特征在于：所述制作陶瓷混压正凹蚀板的方法还包括步骤S170：检测完成阻焊的混压板。

3.如权利要求1所述的制作陶瓷混压正凹蚀板的方法，其特征在于：完成步骤S110、完成步骤S140后皆通过三元设备分别检测陶瓷覆铜板、以及高速环氧树脂覆铜箔板的涨缩。

4.如权利要求1所述的制作陶瓷混压正凹蚀板的方法，其特征在于：在步骤S130中，所述陶瓷覆铜板与高速环氧树脂覆铜箔板之间通过PP层粘合。

5.如权利要求1所述的制作陶瓷混压正凹蚀板的方法，其特征在于：在步骤S150中玻纤蚀刻为通过氟化氢铵、硫酸混合溶液进行蚀刻，玻纤蚀刻的温度为25±2℃，时间为150±10s。

6.如权利要求1所述的制作陶瓷混压正凹蚀板的方法，其特征在于：氟化氢铵的质量浓度为25g/L，硫酸溶液的浓度为10％。

7.如权利要求1所述的制作陶瓷混压正凹蚀板的方法，其特征在于：在步骤S140中等离子清理机将由氧气、氮气和四氟化碳组成的混合气体通过高电压电离形成等离子气体，然后通过等离子气体轰击混压板的孔壁，对板料孔壁进行清洁、改性、光刻胶灰化。

8.如权利要求1所述的制作陶瓷混压正凹蚀板的方法，其特征在于：在步骤S140中离子清理机清理时间为5min至13min。

9.如权利要求1所述的制作陶瓷混压正凹蚀板的方法，其特征在于：在步骤S110、以及步骤S150中，化学沉铜的沉铜厚度皆为0.5um。