[发明专利]一种表面改性碳化硅颗粒增强铜基复合材料及其制备方法有效
申请号: | 202210540348.4 | 申请日: | 2022-05-18 |
公开(公告)号: | CN114807894B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 肖静;郭文建;卢尚文;熊德赣;陈柯;杨盛良;袁晨;阳展望 | 申请(专利权)人: | 湖南工业职业技术学院 |
主分类号: | C23C16/14 | 分类号: | C23C16/14;C23C16/44;C22C29/06;B22D23/04 |
代理公司: | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人: | 陈俊好 |
地址: | 410000 *** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 改性 碳化硅 颗粒 增强 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种表面改性碳化硅颗粒增强铜基复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:采用双温区化学气相沉积炉,在炉管旋转条件下对碳化硅颗粒进行表面改性,得到表面包覆锆镀层的改性碳化硅颗粒;
步骤S1具体为:
S11:将四氯化锆粉体置于双温区化学气相沉积管式炉的低温区,将碳化硅颗粒置于双温区化学气相沉积管式炉的高温区,抽真空,驱动炉管旋转带动内部碳化硅颗粒翻转;所述四氯化锆粉体和碳化硅颗粒的质量比为1:2~8;
S12:从低温区端向双温区化学气相沉积管式炉内同时通入氩气和氢气,之后开启升温程序,待低温区和高温区均达到设定温度后,从低温区端向双温区化学气相沉积管式炉内通入甲烷,设定温度下保温;所述保温的时间为0.5~1.5h;所述高温区温度为1350~1600℃,低温区温度为250~350℃;所述氢气的流量为500~1500mL/min,氩气的流量为100~300mL/min,甲烷的流量为40~120 mL/min;
S13:关闭甲烷气阀,开启降温程序,待高温区温度降至500℃后,关闭氢气气阀,待高温区温度降至200℃后,关闭氩气气阀,冷却至室温后,得到表面包覆锆镀层的碳化硅颗粒;
S2:对所述改性碳化硅颗粒进行混合造粒、成型处理,得到碳化硅预制件坯料;
S3:对所述碳化硅预制件坯料进行真空烧结,得到碳化硅预制件;
S4:在惰性气氛下对所述碳化硅预制件预热,转移至模具筒中,抽真空,向模具筒内加入铜液,对铜液施机械压力使铜液浸渗至碳化硅预制件孔隙中,冷却拆模,得到表面改性碳化硅颗粒增强铜基复合材料;对铜液施压为分步施加机械压力,先施加预压2~5MPa,保压1~2min;再施加高压40~100MPa,保压1~3min。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述碳化硅颗粒的粒径为。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S4具体为:
S41:将碳化硅预制件置于石墨模具中,石墨模具四周放置硅酸铝保温层,在保温层外用不锈钢板焊接成不锈钢包套,然后将不锈钢包套置于惰性气氛下预热1~2h,预热温度为1000~1150℃;
S42:将不锈钢包套转移至钢模模具筒中,合上模具筒盖,通过真空泵对模具筒抽真空;
S43:将基体铜置于真空炉中加热,加热温度为1150~1250℃,待基体铜熔化后,利用引液管将铜液泵送至模具筒内,卸除模具筒真空,移开模具筒盖,通过液压机压头对铜液施压,使铜液在机械压力作用下浸渗至碳化硅预制件孔隙中,冷却拆模后,得到表面改性碳化硅颗粒增强铜基复合材料。
4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在步骤S43中,采用电磁泵输送方式将铜液输送至模具筒内。
5.一种表面改性碳化硅颗粒增强铜基复合材料,其特征在于,由权利要求1~4任一项所述制备方法制备得到;所述铜基复合材料中表面改性碳化硅颗粒的体积百分数为55~75%,铜基体的体积百分数为25~45%。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的