[发明专利]具有集成薄膜电容器的微电子组件

权利要求书

1.一种微电子组件，包括：

在第一电介质层中的管芯，所述管芯具有第一表面和相对的第二表面；以及

嵌入式电容器，所述电容器包括：

在所述第一电介质层中的第一导电柱，所述第一导电柱具有第一端和相对的第二端；

在所述第一电介质层中的第二导电柱，所述第二导电柱具有第一端和相对的第二端，其中，所述第一导电柱和所述第二导电柱形成所述电容器的第一极板；

第二电介质层，所述第二电介质层在所述管芯的所述第二表面上并且在所述第一导电柱和所述第二导电柱的所述第二端上，其中，所述第二电介质层至少部分地沿着所述第一导电柱和所述第二导电柱的第一厚度延伸，从所述第二端朝向所述第一端逐渐变细；以及

在所述第二电介质层上的金属层，其中，所述金属层至少部分地沿着所述第一导电柱和所述第二导电柱的第二厚度延伸，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度，并且其中，所述金属层形成所述电容器的第二极板。

2.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述管芯是第一管芯，并且所述微电子组件还包括：

所述金属层上的再分布层(RDL)；以及；

在所述RDL上的第三电介质层中的第二管芯，其中，所述金属层经由所述RDL中的导电路径电耦接到所述第二管芯。

3.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述管芯是第一管芯，并且所述微电子组件还包括：

所述金属层上的再分布层(RDL)；以及

在所述RDL上的第三电介质层中的第二管芯，其中，所述第一柱和所述第二柱的所述第二端经由所述RDL中的导电路径电耦接到所述第二管芯。

4.根据权利要求1所述的微电子组件，还包括：

在所述第一电介质层中的电耦接到所述金属层的第三导电柱。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件，其中，所述第二电介质层具有在80度与90度之间的锥度。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件，还包括：

封装衬底，其中，所述第一导电柱和所述第二导电柱的所述第一端电耦接到所述封装衬底。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件，其中，所述第二电介质层的材料包括高k电介质材料。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件，其中，所述第二电介质层的厚度在5纳米与1微米之间。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件，其中，所述金属层的材料包括金属、金属氧化物或金属合金中的一种或多种。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件，其中，所述金属层的厚度在10纳米与15微米之间。

11.一种用于集成电路(IC)设备的嵌入式电容器，包括：

第一电容器极板，包括：

在第一电介质层中的第一导电柱，所述第一导电柱具有第一端和相对的第二端；

在所述第一电介质层中的第二导电柱，所述第二导电柱具有第一端和相对的第二端；

第二电介质层，所述第二电介质层在所述第一导电柱和所述第二导电柱的所述第二端上，其中，所述第二电介质层至少部分地沿着所述第一导电柱和所述第二导电柱的第一厚度延伸，从所述第二端朝向所述第一端逐渐变细；以及

第二电容器极板，所述第二电容器极板包括在所述第二电介质层上的金属层，其中，所述金属层至少部分地沿着所述第一导电柱和所述第二导电柱的第二厚度延伸，并且其中，所述第二厚度小于所述第一厚度。

12.根据权利要求11所述的嵌入式电容器，其中，所述第二电介质层具有在80度与90度之间的锥度。

13.根据权利要求11所述的嵌入式电容器，其中，所述第一导电柱和所述第二导电柱的间距在100微米与500微米之间。