[发明专利]晶圆用干式清洗装置

说明书

本发明涉及晶圆用干式清洗装置，更详细地涉及可以利用激光来有效地去除晶圆表面的有机残留物的晶圆用干式清洗装置。本发明提供一种晶圆用干式清洗装置，用于对晶圆表面的有机残留物进行干式清洗，其中，所述晶圆用干式清洗装置包括：激光光源，照射激光；准直光学系统，使得从所述激光光源照射的激光平行地行进；均匀光学系统，使得通过所述准直光学系统的光均匀；以及成像光学系统，用于将通过所述均匀光学系统的光调节成符合晶圆的尺寸。

技术领域

本发明涉及晶圆用干式清洗装置，更详细地涉及可以利用激光来有效地去除晶圆表面的有机残留物的晶圆用干式清洗装置。

背景技术

在进行半导体超临界工艺或者湿式清洗工艺之后被干燥的晶圆(Wa fer)的表面中可能存在PR(Photoresist；光刻胶)残留物(residue)或IPT(Isopropyl Alcohol；异丙醇)残留物(residue)等各种有机残余物，晶圆表面的残余物会影响工艺投入产出率，因此需要必须去除，但当对该残余物进行湿式清洗时，发生产生残余(Leaing)等的问题而难以适用湿式清洗，需要进行干式清洗。

作为这样的干式清洗方法的一种，目前正在开发或使用利用光发生器或加热器等将晶圆加热至有机物质的热反应温度(以碳为基准，600℃)以上来清洗残余有机物的装置，但这样的装置存在工艺时间长，清洗效率低的问题。

发明内容

本发明是为了解决背景技术的问题而提出的，本发明要解决的课题是提供一种在短时间内完成作业且晶圆上的有机残留物去除效率高的晶圆干式清洗装置。

作为前述课题的解决方式，本发明提供一种晶圆用干式清洗装置，用于对晶圆表面的有机残留物进行干式清洗，其中，所述晶圆用干式清洗装置包括：激光光源，照射激光；准直光学系统，使得从所述激光光源照射的激光平行地行进；均匀光学系统，使得通过所述准直光学系统的光均匀；以及成像光学系统，用于将通过所述均匀光学系统的光调节成符合晶圆的尺寸。

可以是，所述均匀光学系统包括DOE(Diffractive Optical Element；衍射光学元件)，或者，所述均匀光学系统包括微透镜阵列，或者，所述均匀光学系统包括光管，或者，所述均匀光学系统是将光管与DOE(Diffractive Optical Element；衍射光学元件)和微透镜阵列中至少一个组合来使用。

优选的是，所述晶圆用干式清洗装置还包括用于折射所述激光的折射光学系统。

另外，本发明提供一种晶圆用干式清洗装置，用于对晶圆表面的有机残留物进行干式清洗，其中，所述晶圆用干式清洗装置包括：激光光源，照射激光；第一均匀光学系统，使得从所述激光光源照射的光均匀；准直光学系统，使得通过所述第一均匀光学系统的激光平行地行进；折射光学系统，用于使得通过所述准直光学系统的光折射90度；第二均匀光学系统，使得通过所述折射光学系统的光均匀；以及成像光学系统，用于将通过所述第二均匀光学系统的光调节成符合晶圆的尺寸。

另外，本发明提供一种晶圆用干式清洗装置，用于对晶圆表面的有机残留物进行干式清洗，其中，所述晶圆用干式清洗装置包括：激光光源，照射激光；第一均匀光学系统，使得从所述激光光源照射的光均匀；准直光学系统，使得通过所述第一均匀光学系统的激光平行地行进；折射光学系统，用于使得通过所述准直光学系统的光折射90度；第二均匀光学系统，使得通过所述折射光学系统的光均匀；成像光学系统，用于将通过所述第二均匀光学系统的光调节成符合晶圆的尺寸；冷却单元，用于冷却被照射所述激光而被加热的晶圆；空气喷射部，设置于晶圆的一侧而向晶圆的表面喷射惰性气体；以及空气抽吸部，设置于与所述空气喷射部相反的一侧而抽吸通过空气喷射部喷射的惰性气体和晶圆的表面的有机残留物，并具有比所述空气喷射部窄的宽度。

根据本发明，可以提供短时间内完成作业且晶圆上的有机物质去除效率高的晶圆干式清洗装置。

附图说明

图1是用于说明根据本发明的第一实施例的晶圆用干式清洗装置的图。