[发明专利]晶圆用干式清洗装置在审
申请号: | 202210487895.0 | 申请日: | 2022-05-06 |
公开(公告)号: | CN116364575A | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 金光烈;金润相 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B7/00;B08B11/00 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆用干式 清洗 装置 | ||
1.一种晶圆用干式清洗装置,用于对晶圆表面的有机残留物进行干式清洗,其中,
所述晶圆用干式清洗装置包括:
激光光源,照射激光;
准直光学系统,使得从所述激光光源照射的激光平行地行进;
均匀光学系统,使得通过所述准直光学系统的光均匀;以及
成像光学系统,用于将通过所述均匀光学系统的光调节成符合晶圆的尺寸。
2.根据权利要求1所述的晶圆用干式清洗装置,其中,
所述均匀光学系统包括衍射光学元件。
3.根据权利要求1所述的晶圆用干式清洗装置,其中,
所述均匀光学系统包括微透镜阵列。
4.根据权利要求1所述的晶圆用干式清洗装置,其中,
所述均匀光学系统包括光管。
5.根据权利要求1所述的晶圆用干式清洗装置,其中,
所述均匀光学系统是将光管与衍射光学元件和微透镜阵列中至少一个组合来使用。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶圆用干式清洗装置,其中,
所述晶圆用干式清洗装置还包括用于折射所述激光的折射光学系统。
7.根据权利要求6所述的晶圆用干式清洗装置,其中,
所述晶圆用干式清洗装置使用多个折射光学系统。
8.一种晶圆用干式清洗装置,用于对晶圆表面的有机残留物进行干式清洗,其中,
所述晶圆用干式清洗装置包括:
激光光源,照射激光;
第一均匀光学系统,使得从所述激光光源照射的光均匀;
准直光学系统,使得通过所述第一均匀光学系统的激光平行地行进;
折射光学系统,用于使得通过所述准直光学系统的光折射90度;
第二均匀光学系统,使得通过所述折射光学系统的光均匀;以及
成像光学系统,用于将通过所述第二均匀光学系统的光调节成符合晶圆的尺寸。
9.根据权利要求8所述的晶圆用干式清洗装置,其中,
所述第一均匀光学系统或者所述第二均匀光学系统包括衍射光学元件。
10.根据权利要求8所述的晶圆用干式清洗装置,其中,
所述第一均匀光学系统或者所述第二均匀光学系统包括微透镜阵列。
11.根据权利要求8所述的晶圆用干式清洗装置,其中,
所述第一均匀光学系统或者所述第二均匀光学系统包括光管。
12.根据权利要求8所述的晶圆用干式清洗装置,其中,
所述第一均匀光学系统或者所述第二均匀光学系统将光管与衍射光学元件和微透镜阵列中的至少一个组合来使用。
13.根据权利要求8至12中任一项所述的晶圆用干式清洗装置,其中,
所述晶圆用干式清洗装置还包括用于折射所述激光的折射光学系统。
14.根据权利要求1或8所述的晶圆用干式清洗装置,其中,
所述晶圆用干式清洗装置还包括配置于所述晶圆的下方而用于冷却晶圆的冷却单元。
15.根据权利要求1或8所述的晶圆用干式清洗装置,其中,
所述晶圆用干式清洗装置还包括:
颗粒去除单元,提供用于去除通过照射于所述晶圆的光而从晶圆脱离的有机残留物的空气流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造